ZHCAB22A November 2017 – November 2020 TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1
放射性事件源自放射性粒子穿透半导体材料并扰乱位单元锁存器中的电压。这些事件在正常情况下是罕见的，但在放射性医疗环境和/或非常高的海拔环境中发生的可能性较大，高海拔环境中的大气较少，不利于降低粒子数。
根据粒子的穿透角度和强度，一个或多个位的值可能会翻转。这会沿一条直线发生。如果该直线穿过多个行，则必然会在不同的字中出现多个发生故障的位。这适用于垂直方向的穿透或对角线方向的穿透。
如果穿透方向是沿着行，则必须超出多路复用器因子才能在同一个字中创建多个位。
几何尺寸越小，受粒子穿透干扰的位就越多。在 90nm 工艺节点上，穿透 5 个单元的情况极为罕见。在 65nm 工艺节点上，穿透 6 个单元的情况极为罕见。与高性能工艺节点相比，低泄漏工艺节点更不易受这些事件的影响。
放射性粒子穿透可能会对 SRAM 单元造成物理损坏，并且这种情况时有发生。这种情况在采用结构更具创新性的几何形状的工艺节点中更为常见。