ZHCSVW9 March 2024 TDA4AEN-Q1 , TDA4VEN-Q1
ADVANCE INFORMATION
图 6-21 展示了建议的晶体电路。建议预量产印刷电路板 (PCB) 设计包含两个可选电阻器 Rbias 和 Rd,以防在与量产晶体电路元件结合使用时需要这些电阻器来确保振荡器正常运行。在大多数情况下,不需要 Rbias,Rd 是一个 0Ω 电阻器。在使用安装在预量产 PCB 上的量产晶体电路元件评估振荡器性能后,可以从量产 PCB 设计中移除这些电阻器。
表 6-23 展示了 LFXOSC 运行模式。
模式 | BP_C | PD_C | XI | XO | CLK_OUT | 说明 |
---|---|---|---|---|---|---|
ACTIVE | 0 | 0 | XTAL | XTAL | CLK_OUT | 提供 32kHz 频率的有源振荡器模式 |
PWRDN | 0 | 1 | X | PD | LOW | 输出将被下拉至低电平。PAD 为三态。有源模式被禁用 |
BYPASS | 1 | 0 | CLK | PD | CLK | XI 由外部时钟源驱动。XO 被下拉至低电平。由于有 ESD 二极管供电,除非存在振荡器电源,否则不应驱动 XI。 |
用户应为 6pf 至 9.5pf 范围内的 CL 设置 CTRLMMR_WKUP_LFXOSC_TRIM[18:16] i_mult = 3b’001。应为 8.5pf 至 12pf 范围内的 CL 设置 CTRLMMR_WKUP_LFXOSC_TRIM [18:16] i_mult = 3b’010。默认设置为 3b’010。
在选择图 6-22 中的负载电容器 Cf1 和 Cf2 时,应满足以下公式。公式中的 CL 是晶体制造商指定的负载。用于实现振荡器电路的所有分立式元件应尽可能靠近关联的振荡器 WKUP_LFOSC0_XI、WKUP_LFOSC0_XO 和 VSS 引脚放置。
晶体必须处于基本工作模式并且并联谐振。表 6-24 总结了所需的电气约束。
名称 | 说明 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
fp | 并联谐振晶体频率 | 32768 | Hz | |||||
晶体频率稳定性和容差 | ±100 | PPM | ||||||
Cf1 | 用于晶体并联谐振的 Cf1 负载电容,Cf1 = Cf2 | 12 | 24 | pF | ||||
Cf2 | 用于晶体并联谐振的 Cf2 负载电容,Cf1 = Cf2 | 12 | 24 | pF | ||||
Cshunt | 并联电容 | ESRxtal – 40kΩ | 4 | pF | ||||
ESRxtal – 60kΩ | 3 | pF | ||||||
ESRxtal – 80kΩ | 2 | pF | ||||||
ESRxtal – 100kΩ | 1 | pF | ||||||
ESR | 晶体有效串联电阻 | (1) | Ω |
选择晶体时,系统设计必须根据最坏情况和系统预期寿命来考虑温度和老化特性。
表 6-25 详细说明了振荡器的开关特性和输入时钟的要求。
名称 | 说明 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|
fxtal | 振荡频率 | 32768 | Hz | ||
tsX | 启动时间 | 96.5 | ms |