ZHDS333 October   2026 TAS2573

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 计时示意图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 工作模式
        1. 6.3.1.1 硬件关断
        2. 6.3.1.2 软件电源模式控制和软件复位
        3. 6.3.1.3 高效和节能模式
          1. 6.3.1.3.1 噪声门
          2. 6.3.1.3.2 音乐效率模式
          3. 6.3.1.3.3 VDD Y 桥
          4. 6.3.1.3.4 H 类升压
        4. 6.3.1.4 2S 电池模式
        5. 6.3.1.5 低压电池模式
        6. 6.3.1.6 外部 PVDD 模式
      2. 6.3.2 故障和状态
        1. 6.3.2.1 中断生成和清除
    4. 6.4 特性说明
      1. 6.4.1 PurePath™ Console 3 软件
      2. 6.4.2 播放信号路径
        1. 6.4.2.1 数字信号处理器
          1. 6.4.2.1.1 算法块
          2. 6.4.2.1.2 算法特性
          3. 6.4.2.1.3 工厂校准
        2. 6.4.2.2 数字音量控制和放大器输出电平
        3. 6.4.2.3 高通滤波器
        4. 6.4.2.4 D 类放大器
        5. 6.4.2.5 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
          1. 6.4.2.5.1 电压限制器和削波保护
        6. 6.4.2.6 音调发生器
      3. 6.4.3 数字音频串行接口
      4. 6.4.4 升压
      5. 6.4.5 扬声器电流和电压 (IV) 检测
      6. 6.4.6 电源电压监测
      7. 6.4.7 过热保护
      8. 6.4.8 时钟和 PLL
        1. 6.4.8.1 基于自动时钟的唤醒和时钟错误
      9. 6.4.9 数字 IO 引脚
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 控制接口
      2. 6.5.2 I2C 地址选择
      3. 6.5.3 常规 I2C 运行
      4. 6.5.4 I2C 单字节和多字节传输
      5. 6.5.5 I2C 单字节写入
      6. 6.5.6 I2C 多字节写入
      7. 6.5.7 I2C 单字节读取
      8. 6.5.8 I2C 多字节读取
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 PAGE_0 寄存器
    2. 7.2 PAGE_1 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 单声道/立体声配置
        2. 8.2.2.2 升压转换器无源器件
        3. 8.2.2.3 EMI 无源器件
        4. 8.2.2.4 各种无源器件
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
      4. 8.2.4 应做事项和禁止事项
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 修订历史记录
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YCF|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.1 布局指南

  • 针对承载大电流的信号使用宽引线，并尽可能避免使用过孔。如果无法避免使用过孔，则必须添加多个过孔，以实现低寄生电感和高电流能力。这些包括用于 PVDD、VBAT、VDD、PGND、BGND、GND、OUT_P 和 OUT_N 的引线。
  • PGND 和 BGND 信号必须直接连接并短接到电路板的接地平面，从而更大限度地减小寄生电感。在连接到接地平面之前，必须避免在接地引脚之间（例如 GND 和 PGND 或 GND 和 BGND 共模布线）产生共模电感。
  • 敏感低压信号必须避免在 OUT_P、OUT_N、SW、VSNS_P 和 VSNS_N 等高开关信号布线之间产生耦合。
  • 尽可能地减小 OUT_P、OUT_N、SW、VSNS_P 和 VSNS_N 等高开关线路与接地/静态节点之间的电容。较大的电容会导致效率下降。OUT_P 和 OUT_N 之间的耦合也会导致效率降低。
  • 至升压电感器和器件 VBAT 引脚的 VBAT 布线必须以星形接法连接到公共 VBAT 电源平面。确保去耦电容器 C4 靠近器件放置，去耦电容器 C5 靠近电感器放置。
    • 如果使用 VBAT_SNS 引脚，则接头必须以星形接法连接到电源平面或尽可能靠近电池。避免将 VBAT_SNS 引脚连接到靠近升压电感器 VBAT 接头的位置。
  • 将升压电感器放置在 VBAT 和 SW 之间靠近器件端子的位置，器件端子和电感器之间没有过孔。VBAT 至升压电感器的布线必须具有超低的布线电阻，以便器件发挥最佳性能。
  • 去耦电容器必须靠近器件放置。建议为去耦电容器使用尽可能小的封装尺寸，从而使器件发挥最佳性能。建议 DREG、VDD、IOVDD、VBAT（C4 电容器）、PVDD 低 ESL（C6 电容器）具有 0201 外壳尺寸或更小。必须避免在去耦电容器和器件引脚之间使用过孔，或者也可以添加多个过孔来尽可能减小寄生电感。
  • 所有去耦电容器的接地端子都必须通过多个接地过孔牢固地连接到接地平面。必须尽可能地减小电容器接地与器件接地引脚之间的接地布线环路。
  • 对于 VDD Y 桥功能，从主机 PMIC 到器件 VDD 的布线必须采用宽电源平面布线，并尽可能减小布线寄生电感。
  • 对于 GREG-PVDD（C9 电容器）之间的电容器，电容器的 PVDD 侧不能直接连接到 PVDD 去耦电容器（C6、C7 和 C8），而必须尽可能靠近器件 PVDD 引脚连接。
  • 在外部 PVDD 运行模式下，SW 引脚必须保持悬空，不连接到任何电源或接地信号。