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ZHDS333 October 2026 TAS2573

ADVANCE INFORMATION

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

YCF|48

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhds333_oa

8.2 典型应用

下图显示了 1S、1S 低压电池和 2S 锂离子电池以及外部 PVDD 或 3S 电池连接的典型应用连接。对于 1S 模式，可以选择 VBAT_SNS 引脚连接，如果不使用，该 VBAT_SNS 引脚必须接地。AD1 和 AD2 用于地址检测，可以连接到 IOVDD 或接地端，以支持最多四个 I²C 目标地址，如 I² C 模式地址选择部分所述 (节 6.5.2)。

如果需要，系统可以使用相同的 1.8V 电源为 IOVDD 和 VDD 供电。去耦电容器 C2 和 C3 仍必须靠近器件引脚放置。

发送到电源的 VDD 信号对器件性能至关重要，必须在源 PMIC 和 VDD 引脚之间使用宽引线，以尽量减小寄生电感。VDD 电源纹波必须保持最小，并且布线必须连接到公共电源平面。

图 8-1 1S 系统的应用示意图

图 8-2 低压 1S 电池系统的应用示意图

图 8-3 2S 电池系统的应用示意图

图 8-4 外部 PVDD 或 3S 电池系统的应用示意图

表 8-1 推荐的外部元件

元件	说明	规格	最小值	典型值	最大值	单位
L1	升压转换器电感器	电感，容差为 20%	0.47	1		µH
L1	升压转换器电感器	饱和电流		5.3		A
L2、L3	可选的 EMI 滤波电感器（如果使用 L2、L3，则必须使用 R1、R2）	直流电流	2			A
C1, C2	DREG、IOVDD 去耦电容器	电容，容差为 20%		1		µF
C1, C2	DREG、IOVDD 去耦电容器	电压额定值	2	6.3		V
C3	VDD 去耦电容器	电容，容差为 20%		2.2		µF
C3	VDD 去耦电容器	电压额定值	2	6.3		V
C4	VBAT 去耦电容器	电容，容差为 20%		1		µF
C4	VBAT 去耦电容器	电压额定值	6.3	10		V
C5	VBAT 电源去耦电容器	电容，容差为 20%		10		µF
C5	VBAT 电源去耦电容器	电压额定值	6.3	10		V
C5a	VBAT 2S 电源去耦电容器	电容，容差为 20%		10		µF
C5a	VBAT 2S 电源去耦电容器	电压额定值	10	16		V
C6	PVDD 低 ESL 去耦	电容，容差为 20%		0.1		µF
C6	PVDD 低 ESL 去耦	电压额定值	16	25		V
C7、C8、C12⁽¹⁾	PVDD 电源去耦电容器	电容，容差为 20%		10		µF
		电压额定值	16	25		V
		1S 电池系统降额后 13V 直流电压下的有效总 PVDD 电容	3			µF
		2S 电池系统降额后 13V 直流电压下的有效总 PVDD 电容注意：2S 系统不需要 C12 就能满足降额规格。	2			µF
C9	GREG 去耦电容器	电容，容差为 20%		0.1		µF
C9	GREG 去耦电容器	电压额定值	6.3	10		V
C10、C11	可选的 EMI 滤波电容器（如果使用 C10、C11，则必须使用 L2、L3）	电压额定值	2xPVDD			V
R1、R2	可选的电压检测电阻器（如果使用 L2、L3，则必须使用）	电容，容差为 5%。	1	2.2	4.7	kΩ
		温度系数			300	ppm/C
		电源		0.01		W

(1) 通过将 10µF 替换为满足电容降额要求的值更高的电容器，可以减少电容器数量。例如两个 GRM188C61E206ME01 电容器符合 1S 电池系统的规格，并通过减少一个 0603 封装尺寸的电容器来节省布板空间。