ZHCSX59A August   2024  – August 2025 TAS2120

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 工作模式
        1. 6.3.1.1 硬件关断
        2. 6.3.1.2 硬件配置模式
        3. 6.3.1.3 软件电源模式控制和软件复位
        4. 6.3.1.4 高效和节能模式
          1. 6.3.1.4.1 噪声门
          2. 6.3.1.4.2 音乐效率模式
          3. 6.3.1.4.3 VDD Y 桥
          4. 6.3.1.4.4 H 类升压
        5. 6.3.1.5 2S 电池模式
        6. 6.3.1.6 外部 PVDD 模式
      2. 6.3.2 故障和状态
        1. 6.3.2.1 中断生成和清除
    4. 6.4 特性说明
      1. 6.4.1  PurePath™ Console 3 软件
      2. 6.4.2  播放信号路径
        1. 6.4.2.1 数字音量控制和放大器输出电平
        2. 6.4.2.2 高通滤波器
        3. 6.4.2.3 D 类放大器
        4. 6.4.2.4 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
          1. 6.4.2.4.1 电压限制器和削波保护
        5. 6.4.2.5 音调发生器
      3. 6.4.3  数字音频串行接口
        1. 6.4.3.1 数字环回
      4. 6.4.4  内部升压
      5. 6.4.5  升压共享
      6. 6.4.6  外部 H 类升压控制器
      7. 6.4.7  电源电压监测
      8. 6.4.8  热保护
      9. 6.4.9  时钟和 PLL
        1. 6.4.9.1 基于自动时钟的唤醒和时钟错误
      10. 6.4.10 数字 IO 引脚
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 控制接口
      2. 6.5.2 I2C 地址选择
      3. 6.5.3 常规 I2C 运行
      4. 6.5.4 I2C 单字节和多字节传输
      5. 6.5.5 I2C 单字节写入
      6. 6.5.6 I2C 多字节写入
      7. 6.5.7 I2C 单字节读取
      8. 6.5.8 I2C 多字节读取
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1  页 0 寄存器
    2. 7.2  页 1 寄存器
    3. 7.3  页 2 寄存器
    4. 7.4  页 3 寄存器
    5. 7.5  页 4 寄存器
    6. 7.6  页 5 寄存器
    7. 7.7  页 6 寄存器
    8. 7.8  页 7 寄存器
    9. 7.9  页 8 寄存器
    10. 7.10 簿 100 页 9 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 单声道/立体声配置
        2. 8.2.2.2 升压转换器无源器件
        3. 8.2.2.3 EMI 无源器件
        4. 8.2.2.4 各种无源器件
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 应做事项和禁止事项
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4.7 电源电压监测

TAS2120 集成了 SAR ADC 来监测电源电压引脚。检测电压用于内部器件特性和保护，也可通过数字数据总线流式传输或通过 I2C 寄存器读取。

可以根据寄存器 SEL_VBAT_MODE[1:0] 通过 VBAT 或 VBAT_SNS 引脚检测电池电压

表 6-38 电池模式选择
SEL_VBAT_MODE[1:0] 配置
00（默认值） 在 VBAT 引脚上进行电压监测。1S 运行模式
01 在 VBAT_SNS 引脚上进行电压监测。1S 运行模式
10 在 VBAT_SNS 引脚上进行电压监测。2S 运行模式
11 保留

与 PVDD 引脚电压相比，监测器 ADC 以更高的速率对 VBAT 引脚进行采样。例如，在外部 PVDD 运行模式下，可以交换该采样速度，以优先考虑 PVDD 引脚采样率，而非 VBAT。

表 6-39 电源监测采样率
SUPPLY_SAMPLING_RATE 配置
0（默认值） VBAT 采样率高于 PVDD
1 PVDD 采样率高于 VBAT

VBAT 和 PVDD 监测电压存储在寄存器 VBAT_CNV 和 PVDD_CNV 中，可以使用 I2C 命令进行读取。

电源监测器还用于电压保护，例如 VBAT 欠压、PVDD 过压和欠压以及 VBAT2S 欠压。电压保护功能可监测电源电压，在电压超过保护阈值电平时关断器件。该器件还设置了相应的故障寄存器，可以根据节 6.3.2所述的配置的中断掩码寄存器在 IRQZ 引脚上产生中断。器件由于故障条件关断后，可以使用 MODE[1:0] 寄存器位使器件重新上电。

PVDD 过压保护基于监测的 PVDD 电压与可编程阈值的比较，该阈值在内部升压模式下可使用 PVDD_OVLO_TH_SEL 进行控制，在外部 PVDD 运行模式下可使用 PVDD_OVLO_TH_SEL_EXT 进行控制。PVDD 过压保护默认启用，可以通过将 PVDD_OV_DET_DIS 位设置为高电平来禁用。

表 6-40 PVDD 过压保护阈值，内部升压模式
PVDD_OVLO_TH_SEL[1:0] 配置
00 过压阈值为 13.5V
01 过压阈值为 14V
10 过压阈值为 15V
11（默认值） 过压阈值为 16V