ZHCSX59A August   2024  – August 2025 TAS2120

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 工作模式
        1. 6.3.1.1 硬件关断
        2. 6.3.1.2 硬件配置模式
        3. 6.3.1.3 软件电源模式控制和软件复位
        4. 6.3.1.4 高效和节能模式
          1. 6.3.1.4.1 噪声门
          2. 6.3.1.4.2 音乐效率模式
          3. 6.3.1.4.3 VDD Y 桥
          4. 6.3.1.4.4 H 类升压
        5. 6.3.1.5 2S 电池模式
        6. 6.3.1.6 外部 PVDD 模式
      2. 6.3.2 故障和状态
        1. 6.3.2.1 中断生成和清除
    4. 6.4 特性说明
      1. 6.4.1  PurePath™ Console 3 软件
      2. 6.4.2  播放信号路径
        1. 6.4.2.1 数字音量控制和放大器输出电平
        2. 6.4.2.2 高通滤波器
        3. 6.4.2.3 D 类放大器
        4. 6.4.2.4 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
          1. 6.4.2.4.1 电压限制器和削波保护
        5. 6.4.2.5 音调发生器
      3. 6.4.3  数字音频串行接口
        1. 6.4.3.1 数字环回
      4. 6.4.4  内部升压
      5. 6.4.5  升压共享
      6. 6.4.6  外部 H 类升压控制器
      7. 6.4.7  电源电压监测
      8. 6.4.8  热保护
      9. 6.4.9  时钟和 PLL
        1. 6.4.9.1 基于自动时钟的唤醒和时钟错误
      10. 6.4.10 数字 IO 引脚
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 控制接口
      2. 6.5.2 I2C 地址选择
      3. 6.5.3 常规 I2C 运行
      4. 6.5.4 I2C 单字节和多字节传输
      5. 6.5.5 I2C 单字节写入
      6. 6.5.6 I2C 多字节写入
      7. 6.5.7 I2C 单字节读取
      8. 6.5.8 I2C 多字节读取
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1  页 0 寄存器
    2. 7.2  页 1 寄存器
    3. 7.3  页 2 寄存器
    4. 7.4  页 3 寄存器
    5. 7.5  页 4 寄存器
    6. 7.6  页 5 寄存器
    7. 7.7  页 6 寄存器
    8. 7.8  页 7 寄存器
    9. 7.9  页 8 寄存器
    10. 7.10 簿 100 页 9 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 单声道/立体声配置
        2. 8.2.2.2 升压转换器无源器件
        3. 8.2.2.3 EMI 无源器件
        4. 8.2.2.4 各种无源器件
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 应做事项和禁止事项
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2 典型应用

下图显示了内部升压和外部 PVDD 模式的典型应用连接。SEL1_I2C 引脚用于选择器件的 HW 模式或 I2C 模式。

如果需要，系统可以使用相同的 1.8V 电源为 IOVDD 和 VDD 供电。去耦电容器 C2 和 C3 应靠近器件引脚放置。

VBAT、VDD、PVDD 电源轨对器件性能至关重要，应在源 PMIC 和这些引脚之间使用宽引线，以尽量减小寄生电感。对于这些电源轨，电源纹波应保持最小并应连接到公共电源平面。

勘误表：如果 IRQZ 信号被拉高，则预计会有额外的 2mA 到 3mA 电流消耗。在应做事项和禁止事项一节中了解更多详细信息。

TAS2120 1S 电池系统的应用示意图图 8-1 1S 电池系统的应用示意图

TAS2120 2S 电池系统的应用示意图图 8-2 2S 电池系统的应用示意图
TAS2120 外部 PVDD 系统的应用示意图图 8-3 外部 PVDD 系统的应用示意图
TAS2120 升压共享拓扑应用示意图图 8-4 升压共享拓扑应用示意图
表 8-1 推荐的外部元件
元件 说明 规格 最小值 典型值 最大值 单位
L1 升压转换器电感器 电感，容差为 20% 0.47 1 µH
饱和电流 5.3 A
L2，L3 可选的 EMI 滤波电感器（如果使用 L2、L3，则必须使用 C10、C11） 直流电流 2 A
C1, C2 DREG、IOVDD 去耦电容器 电容，容差为 20% 1 µF
电压额定值 2 6.3 V
C3 VDD 去耦电容器 电容，容差为 20% 2.2 µF
电压额定值 2 6.3 V
C4 VBAT 去耦电容器 电容，容差为 20% 1 µF
电压额定值 6.3 10 V
C5 1S 电池电源去耦电容器 电容，容差为 20% 10 µF
电压额定值 6.3 10 V
C6 PVDD 低 ESL 去耦 电容，容差为 20% 0.1 µF
电压额定值 16 25 V
C7、C8、C12 PVDD 电源去耦电容器 电容，容差为 20% 10 µF
电压额定值 16 25 V
1S 电池系统降额后的有效总 PVDD 电容 3 µF
C9 GREG 去耦电容器 电容，容差为 20% 0.1 µF
电压额定值 6.3 10 V
C10，C11 可选的 EMI 滤波电容器（如果使用 C10、C11，则必须使用 L2、L3） 电压额定值 2xPVDD V