ZHCSX59A August   2024  – August 2025 TAS2120

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 工作模式
        1. 6.3.1.1 硬件关断
        2. 6.3.1.2 硬件配置模式
        3. 6.3.1.3 软件电源模式控制和软件复位
        4. 6.3.1.4 高效和节能模式
          1. 6.3.1.4.1 噪声门
          2. 6.3.1.4.2 音乐效率模式
          3. 6.3.1.4.3 VDD Y 桥
          4. 6.3.1.4.4 H 类升压
        5. 6.3.1.5 2S 电池模式
        6. 6.3.1.6 外部 PVDD 模式
      2. 6.3.2 故障和状态
        1. 6.3.2.1 中断生成和清除
    4. 6.4 特性说明
      1. 6.4.1  PurePath™ Console 3 软件
      2. 6.4.2  播放信号路径
        1. 6.4.2.1 数字音量控制和放大器输出电平
        2. 6.4.2.2 高通滤波器
        3. 6.4.2.3 D 类放大器
        4. 6.4.2.4 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
          1. 6.4.2.4.1 电压限制器和削波保护
        5. 6.4.2.5 音调发生器
      3. 6.4.3  数字音频串行接口
        1. 6.4.3.1 数字环回
      4. 6.4.4  内部升压
      5. 6.4.5  升压共享
      6. 6.4.6  外部 H 类升压控制器
      7. 6.4.7  电源电压监测
      8. 6.4.8  热保护
      9. 6.4.9  时钟和 PLL
        1. 6.4.9.1 基于自动时钟的唤醒和时钟错误
      10. 6.4.10 数字 IO 引脚
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 控制接口
      2. 6.5.2 I2C 地址选择
      3. 6.5.3 常规 I2C 运行
      4. 6.5.4 I2C 单字节和多字节传输
      5. 6.5.5 I2C 单字节写入
      6. 6.5.6 I2C 多字节写入
      7. 6.5.7 I2C 单字节读取
      8. 6.5.8 I2C 多字节读取
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1  页 0 寄存器
    2. 7.2  页 1 寄存器
    3. 7.3  页 2 寄存器
    4. 7.4  页 3 寄存器
    5. 7.5  页 4 寄存器
    6. 7.6  页 5 寄存器
    7. 7.7  页 6 寄存器
    8. 7.8  页 7 寄存器
    9. 7.9  页 8 寄存器
    10. 7.10 簿 100 页 9 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 单声道/立体声配置
        2. 8.2.2.2 升压转换器无源器件
        3. 8.2.2.3 EMI 无源器件
        4. 8.2.2.4 各种无源器件
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 应做事项和禁止事项
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.2 页 1 寄存器

表 7-52 列出了页 1 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-52 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表 7-52 页 1 寄存器
地址首字母缩写词说明部分
0hPAGE器件页节 7.2.1
AhBOOST_TUNING_12升压配置节 7.2.2
EhDEV_PERF_TUNING_07器件性能调优寄存器节 7.2.3
18hPVDD_OVLO1PVDD 过压节 7.2.4
19hDEVICE_CFG0器件配置节 7.2.5
1AhPVDD_OVLO2PVDD 过压节 7.2.6
29hDEVICE_CFG2器件配置节 7.2.7
2BhDEV_PERF_TUNING_04器件性能调优寄存器节 7.2.8
64hI2C_CKSUMI2C 校验和节 7.2.9

7.2.1 页面寄存器（地址 = 0h）[复位 = 00h]

返回到汇总表。

器件存储器映射分为多个页和簿。该寄存器设置页。

表 7-53 页面寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7-0PAGE[7:0]R/W0h设置器件页。
  • 0h = 页 0
  • 1h = 页 1
  • FFh = 页 255

7.2.2 BOOST_TUNING_12 寄存器（地址 = Ah）[复位 = 98h]

返回到汇总表。

升压配置

表 7-54 BOOST_TUNING_12 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7-6RESERVEDR/W2h保留
5-2BOOST_TUNING_12[3:0]R/W6h升压调优寄存器。可以使用 PPC3 软件进行配置
1RESERVEDR0h保留
0RESERVEDR0h保留

7.2.3 DEV_PERF_TUNING_07 寄存器（地址 = Eh）[复位 = 0Bh]

返回到汇总表。

器件性能调优寄存器

表 7-55 DEV_PERF_TUNING_07 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7-6RESERVEDR/W0h保留
5-4RESERVEDR/W0h保留
3-0DEV_PERF_TUNING_07[3:0]R/WBh器件性能调优寄存器
  • 0h = 外部 PVDD 模式调优
  • Bh = 1S 模式调优

7.2.4 PVDD_OVLO1 寄存器（地址 = 18h）[复位 = EBh]

返回到汇总表。

在外部 PVDD 模式下配置 PVDD OVLO 电压

表 7-56 PVDD_OVLO1 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7-6pvdd_ovlo_th_sel_ext_boost[1:0]R/W3h外部 PVDD 模式期间的 PVDD OVLO 阈值选择
  • 0h = 13.5V
  • 1h = 14V
  • 2h = 15V
  • 3h = 16V
5-4RESERVEDR/W2h保留
3-2BOOST_TUNING_13[1:0]R/W2h升压调优寄存器
  • 0h = 保留
  • 1h = 2S 运行模式
  • 2h = 1S 运行模式
  • 3h = 保留
1-0RESERVEDR/W3h保留

7.2.5 DEVICE_CFG0 寄存器（地址 = 19h）[复位 = 23h]

返回到汇总表。

该寄存器旨在实现升压性能，从而符合器件规格

表 7-57 DEVICE_CFG0 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7RESERVEDR/W0h保留
6RESERVEDR/W0h保留
5DEV_PERF_TUNING_03R/W1h器件性能调优寄存器
  • 0h = 器件性能配置
  • 1h = 保留
4RESERVEDR/W0h保留
3-0RESERVEDR/W3h保留

7.2.6 PVDD_OVLO2 寄存器（地址 = 1Ah）[复位 = C4h]

返回到汇总表。

在内部升压模式下配置 PVDD OVLO 电压

表 7-58 PVDD_OVLO2 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7-6pvdd_ovlo_th_sel[1:0]R/W3hPVDD OVLO 阈值选择 - 内部升压模式
  • 0h = 13.5V
  • 1h = 14V
  • 2h = 15V
  • 3h = 16V
5-3RESERVEDR0h保留
2RESERVEDR/W1h保留
1RESERVEDR0h保留
0RESERVEDR0h保留

7.2.7 DEVICE_CFG2 寄存器（地址 = 29h）[复位 = 04h]

返回到汇总表。

该寄存器用于选择器件内部偏置电压要求

表 7-59 DEVICE_CFG2 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7-5DEVICE_CFG_1[2:0]R/W0h配置内部偏置电压
  • 0h = 器件性能配置
  • 1h = 保留
  • 2h = 保留
  • 3h = 保留
  • 4h = 保留
  • 5h = 保留
  • 6h = 保留
  • 7h = 保留
4VBAT_BIAS_SEL1R/W0h根据 VBAT 引脚电压配置内部偏置电压
  • 0h = 基于 VBAT_BIAS_SEL2 寄存器
  • 1h = 内插为 VBAT_2S/2
3-2VBAT_BIAS_SEL2[1:0]R/W1h当 VBAT_BIAS_SEL1=0 时配置内部偏置电压
  • 0h = 保留
  • 1h = 最小 VBAT 引脚电压 > 2.9V
  • 2h = 最小 VBAT 引脚电压 > 3.3V
  • 3h = 最小 VBAT 引脚电压 > 3.7V
1RESERVEDR0h保留
0RESERVEDR0h保留

7.2.8 DEV_PERF_TUNING_04 寄存器（地址 = 2Bh）[复位 = 80h]

返回到汇总表。

器件性能调优寄存器

表 7-60 DEV_PERF_TUNING_04 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7-0DEV_PERF_TUNING_04[7:0]R/W80h器件性能调优。PPC3 软件生成所需的正确配置

7.2.9 I2C_CKSUM 寄存器（地址 = 64h）[复位 = 00h]

返回到汇总表。

返回 I2C 校验和。

表 7-61 I2C_CKSUM 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7-0I2C_CKSUM[7:0]R/W0h返回 I2C 校验和。写入此寄存器会将校验和复位为写入值。此寄存器在所有簿和页上的其他寄存器进行写操作时更新。