ZHCSX59A August   2024  – August 2025 TAS2120

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 工作模式
        1. 6.3.1.1 硬件关断
        2. 6.3.1.2 硬件配置模式
        3. 6.3.1.3 软件电源模式控制和软件复位
        4. 6.3.1.4 高效和节能模式
          1. 6.3.1.4.1 噪声门
          2. 6.3.1.4.2 音乐效率模式
          3. 6.3.1.4.3 VDD Y 桥
          4. 6.3.1.4.4 H 类升压
        5. 6.3.1.5 2S 电池模式
        6. 6.3.1.6 外部 PVDD 模式
      2. 6.3.2 故障和状态
        1. 6.3.2.1 中断生成和清除
    4. 6.4 特性说明
      1. 6.4.1  PurePath™ Console 3 软件
      2. 6.4.2  播放信号路径
        1. 6.4.2.1 数字音量控制和放大器输出电平
        2. 6.4.2.2 高通滤波器
        3. 6.4.2.3 D 类放大器
        4. 6.4.2.4 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
          1. 6.4.2.4.1 电压限制器和削波保护
        5. 6.4.2.5 音调发生器
      3. 6.4.3  数字音频串行接口
        1. 6.4.3.1 数字环回
      4. 6.4.4  内部升压
      5. 6.4.5  升压共享
      6. 6.4.6  外部 H 类升压控制器
      7. 6.4.7  电源电压监测
      8. 6.4.8  热保护
      9. 6.4.9  时钟和 PLL
        1. 6.4.9.1 基于自动时钟的唤醒和时钟错误
      10. 6.4.10 数字 IO 引脚
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 控制接口
      2. 6.5.2 I2C 地址选择
      3. 6.5.3 常规 I2C 运行
      4. 6.5.4 I2C 单字节和多字节传输
      5. 6.5.5 I2C 单字节写入
      6. 6.5.6 I2C 多字节写入
      7. 6.5.7 I2C 单字节读取
      8. 6.5.8 I2C 多字节读取
  8. 寄存器映射
    1. 7.1  页 0 寄存器
    2. 7.2  页 1 寄存器
    3. 7.3  页 2 寄存器
    4. 7.4  页 3 寄存器
    5. 7.5  页 4 寄存器
    6. 7.6  页 5 寄存器
    7. 7.7  页 6 寄存器
    8. 7.8  页 7 寄存器
    9. 7.9  页 8 寄存器
    10. 7.10 簿 100 页 9 寄存器
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 单声道/立体声配置
        2. 8.2.2.2 升压转换器无源器件
        3. 8.2.2.3 EMI 无源器件
        4. 8.2.2.4 各种无源器件
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 应做事项和禁止事项
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
电压限制器和削波保护

可以使用 LIM_MODE[1:0] 寄存器配置电源跟踪限制器。在 VBAT 电压模式下,限制器跟踪 VBAT 电源电压以用于电压限制器,而在 PVDD 电压模式下,限制器跟踪 PVDD 电压以用于外部 PVDD 模式的用例。

表 6-25 限制器模式选择
LIM_MODE[1:0] 配置
00(默认值) 禁用
01 基于 VBAT 电压的限制器
10 基于 PVDD 电压的限制器
11 保留
限制器可以配置为根据固定信号阈值电平降低输出信号,或者可以根据跟踪所选电源电压的动态阈值衰减信号。寄存器位 SUPPLY_HEADROOM_LIM_MODE 可启用动态电源跟踪,可用于在系统中电源电压发生变化时限制削波失真。
表 6-26 限制器动态电源余量跟踪模式
SUPPLY_HEADROOM_LIM_MODE 配置
0(默认值) 禁用
1 被启用。限制器阈值会根据受监测电源电压的固定百分比进行动态更改。

SUPPLY_HEADROOM_LIM_MODE 被设置为高电平时,限制器将阈值设置为受监测电源电压的固定百分比。当输出信号电平大于配置的阈值时,限制器开始降低增益。例如,如果希望电压限制比电源电压低 10%,则 LIM_SLOPE[23:0] 被配置为 0.9,阈值通过受监测电源电压乘以 1.1 计算得出。类似地,如果 LIM_SLOPE[23:0] 被配置为 > 1.0,则限制器阈值将被设置为高于电源电压,并且会发生少量受控削波。

TAS2120 具有动态电源余量的限制器图 6-6 具有动态电源余量的限制器

SUPPLY_HEADROOM_LIM_MODE 被设置为低电平时,如果输出信号电平大于限制器阈值,则限制器开始降低增益。限制器可配置为以最小阈值跟踪低于可编程拐点的所选电源。下面的图 6-7 显示了将限制器配置为限制到一个恒定电平,而不管所选电源电平如何。要实现此行为,请使用 LIM_TH_MAX[23:0] 将限制器最大阈值设置为所需水平。使用 LIM_INF_PT[23:0] 将限制器拐点设置为低于允许的最小电源电压设置。限制器最小阈值寄存器 LIM_TH_MIN[23:0] 不会影响此用例中的限制器行为。

TAS2120 具有固定阈值的限制器图 6-7 具有固定阈值的限制器

图 6-8 显示了如何配置限制器以跟踪低于阈值的所选电源,而无需设置最小阈值。将 LIM_TH_MAX[23:0] 寄存器设置为所需的阈值,并将 LIM_INF_PT[23:0] 寄存器设置为限制器开始降低所选电源阈值的所需拐点。LIM_SLOPE[23:0] 寄存器位可用于更改限制器跟踪电源电压的斜率(以 V/V 为单位)。例如,如果斜率值为 1V/V,则电源电压每降低 1V,限制器阈值就会降低 1V。将 LIM_TH_MIN[23:0] 位编程为低于所选电源的最小值,以防止限制器在跟踪所选电源时出现最小阈值降低。

TAS2120 具有拐点的限制器图 6-8 具有拐点的限制器

要实现跟踪所选电源低于阈值的限制器,请按照上一个示例中的说明配置限制器,但需要将 LIM_TH_MIN[23:0] 寄存器编程为所需的最小阈值。下面的图 6-9 展示了这种情况。

TAS2120 具有拐点和最小阈值的限制器图 6-9 具有拐点和最小阈值的限制器

限制器具有可配置的启动速率(dB/样本)、保持时间(样本数)和释放速率(db/样本),可通过 LIM_ATK_RATE[23:0]LIM_HLD_COUNT[23:0]LIM_RLS_RATE[23:0] 寄存器位获取。