ZHCSX59A August   2024  – August 2025 TAS2120

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 工作模式
        1. 6.3.1.1 硬件关断
        2. 6.3.1.2 硬件配置模式
        3. 6.3.1.3 软件电源模式控制和软件复位
        4. 6.3.1.4 高效和节能模式
          1. 6.3.1.4.1 噪声门
          2. 6.3.1.4.2 音乐效率模式
          3. 6.3.1.4.3 VDD Y 桥
          4. 6.3.1.4.4 H 类升压
        5. 6.3.1.5 2S 电池模式
        6. 6.3.1.6 外部 PVDD 模式
      2. 6.3.2 故障和状态
        1. 6.3.2.1 中断生成和清除
    4. 6.4 特性说明
      1. 6.4.1  PurePath™ Console 3 软件
      2. 6.4.2  播放信号路径
        1. 6.4.2.1 数字音量控制和放大器输出电平
        2. 6.4.2.2 高通滤波器
        3. 6.4.2.3 D 类放大器
        4. 6.4.2.4 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
          1. 6.4.2.4.1 电压限制器和削波保护
        5. 6.4.2.5 音调发生器
      3. 6.4.3  数字音频串行接口
        1. 6.4.3.1 数字环回
      4. 6.4.4  内部升压
      5. 6.4.5  升压共享
      6. 6.4.6  外部 H 类升压控制器
      7. 6.4.7  电源电压监测
      8. 6.4.8  热保护
      9. 6.4.9  时钟和 PLL
        1. 6.4.9.1 基于自动时钟的唤醒和时钟错误
      10. 6.4.10 数字 IO 引脚
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 控制接口
      2. 6.5.2 I2C 地址选择
      3. 6.5.3 常规 I2C 运行
      4. 6.5.4 I2C 单字节和多字节传输
      5. 6.5.5 I2C 单字节写入
      6. 6.5.6 I2C 多字节写入
      7. 6.5.7 I2C 单字节读取
      8. 6.5.8 I2C 多字节读取
  8. 寄存器映射
    1. 7.1  页 0 寄存器
    2. 7.2  页 1 寄存器
    3. 7.3  页 2 寄存器
    4. 7.4  页 3 寄存器
    5. 7.5  页 4 寄存器
    6. 7.6  页 5 寄存器
    7. 7.7  页 6 寄存器
    8. 7.8  页 7 寄存器
    9. 7.9  页 8 寄存器
    10. 7.10 簿 100 页 9 寄存器
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 单声道/立体声配置
        2. 8.2.2.2 升压转换器无源器件
        3. 8.2.2.3 EMI 无源器件
        4. 8.2.2.4 各种无源器件
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 应做事项和禁止事项
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

引脚配置和功能

TAS2120 QFN 封装底视图
图 4-1 QFN 封装底视图
引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
BGND 12 P 升压地。通过多个过孔可靠连接到 PCB GND 平面。
DREG 26 P 数字内核稳压器输出。使用一个电容器旁路至 GND。不要连接至外部负载。
FSYNC 8 I I2S 字时钟或 TDM 帧同步。
GREG 17 P 高侧栅极 CP 稳压器输出。不要连接至外部负载。
GND 22、23、25 P 连接至 PCB 接地平面。需要通过多个过孔可靠连接到接地平面。
IOVDD 5 P 1.8V 或 3.3V 数字 IO 电源。使用电容器进行去耦(连接至 GND)。
IRQZ 6 O 开漏、低电平有效中断引脚。不使用时保持悬空或短接至 GND。
OUT_N 19 O D 类负输出。
OUT_P 20 O D 类正输出。
PGND 21 P D 类功率级地。通过多个过孔可靠连接到 PCB GND 平面。
PVDD 18 P 集成升压输出和 D 类功率级电源。使用电容器进行去耦(连接至 GND)。
SBCLK 9 I I2S 或 TDM 串行位时钟。
SDIN 10 I I2S 或 TDM 串行数据输入。
SDOUT 11 I/O I2S 或 TDM 串行数据输出。
SDZ 7 I 低电平有效硬件关断。
SEL1_I2C 16 I

HW 模式:选择 1 引脚。通过音量斜坡启用和禁用选项选择放大器增益电平。

I2C 模式:短接至 GND 可以选择 I2C 模式。

SEL2_SCL 4 I

HW 模式:选择 2 引脚。I2S、TDM、左平衡选择。

I2C 模式:时钟引脚。使用电阻器上拉至 IOVDD。

SEL3_SDA 3 I/O

HW 模式:选择 3 引脚。数据有效上升沿和下降沿选择。

I2C 模式:数据引脚。使用电阻器上拉至 IOVDD。

SEL4_ADR 2 I

HW 模式:选择 4 引脚。Y 桥阈值配置设置。

I2C 模式:I2C 地址引脚。

SEL5_CLH 1 I/O

HW 模式:选择 5 引脚。升压 1S、2S、外部 PVDD 模式选择。

I2C 模式:H 类升压控制。共享升压输入或外部升压 PWM 生成。如果未使用共享升压或外部升压功能,则短接至 GND。

SW 13 P 内部升压转换器开关输入。如果未使用内部升压,则保持悬空。
VBAT 15 P 电池电源输入。连接至 2.5 至 5.5V 电源,并使用电容器去耦。
VBAT_SNS 14 I 电池检测端子。连接至电池电源以进行远程电池检测。如果不使用电池检测功能,则短接至 GND。
VDD 24 P 连接至 1.8V 电源,并使用电容器去耦至 GND。
I = 输入,O = 输出,I/O = 输入或输出,G = 接地,P = 电源。