ZHCSX59A August   2024  – August 2025 TAS2120

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 工作模式
        1. 6.3.1.1 硬件关断
        2. 6.3.1.2 硬件配置模式
        3. 6.3.1.3 软件电源模式控制和软件复位
        4. 6.3.1.4 高效和节能模式
          1. 6.3.1.4.1 噪声门
          2. 6.3.1.4.2 音乐效率模式
          3. 6.3.1.4.3 VDD Y 桥
          4. 6.3.1.4.4 H 类升压
        5. 6.3.1.5 2S 电池模式
        6. 6.3.1.6 外部 PVDD 模式
      2. 6.3.2 故障和状态
        1. 6.3.2.1 中断生成和清除
    4. 6.4 特性说明
      1. 6.4.1  PurePath™ Console 3 软件
      2. 6.4.2  播放信号路径
        1. 6.4.2.1 数字音量控制和放大器输出电平
        2. 6.4.2.2 高通滤波器
        3. 6.4.2.3 D 类放大器
        4. 6.4.2.4 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
          1. 6.4.2.4.1 电压限制器和削波保护
        5. 6.4.2.5 音调发生器
      3. 6.4.3  数字音频串行接口
        1. 6.4.3.1 数字环回
      4. 6.4.4  内部升压
      5. 6.4.5  升压共享
      6. 6.4.6  外部 H 类升压控制器
      7. 6.4.7  电源电压监测
      8. 6.4.8  热保护
      9. 6.4.9  时钟和 PLL
        1. 6.4.9.1 基于自动时钟的唤醒和时钟错误
      10. 6.4.10 数字 IO 引脚
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 控制接口
      2. 6.5.2 I2C 地址选择
      3. 6.5.3 常规 I2C 运行
      4. 6.5.4 I2C 单字节和多字节传输
      5. 6.5.5 I2C 单字节写入
      6. 6.5.6 I2C 多字节写入
      7. 6.5.7 I2C 单字节读取
      8. 6.5.8 I2C 多字节读取
  8. 寄存器映射
    1. 7.1  页 0 寄存器
    2. 7.2  页 1 寄存器
    3. 7.3  页 2 寄存器
    4. 7.4  页 3 寄存器
    5. 7.5  页 4 寄存器
    6. 7.6  页 5 寄存器
    7. 7.7  页 6 寄存器
    8. 7.8  页 7 寄存器
    9. 7.9  页 8 寄存器
    10. 7.10 簿 100 页 9 寄存器
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 单声道/立体声配置
        2. 8.2.2.2 升压转换器无源器件
        3. 8.2.2.3 EMI 无源器件
        4. 8.2.2.4 各种无源器件
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 应做事项和禁止事项
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
H 类升压

TAS2120 具有先进的 H 类算法,可控制集成式升压。H 类算法使得升压电源能够紧密跟踪音频信号电平,并实现高系统级效率,从而延长电池寿命。可以使用 BST_MODE[1:0] 寄存器启用 H 类模式。

H 类算法会缓冲输入信号,从而实现为升压输出电容器充电并避免任何信号削波所需的足够超前时间。该算法可监测输入信号电平并使用 PPC3 软件中配置的系统级参数(例如升压输出电压、升压输出电容器、通道增益等),还可以计算最佳 H 类调优参数。然后,在 PPC3 软件中计算这些调优参数寄存器,并在相应的 CLASSH_TUNING_x[23:0] 寄存器中进行配置。

当 BST_MODE[1:0] 配置为在 G 类模式或升压常开模式下使用器件时,可以通过在 PPC3 软件中设置浪涌电流参数来控制电池的最大浪涌电流。软件会根据配置的系统级参数(例如升压输出电容器、所需的浪涌电流等)在 CLASSH_TUNING_x[23:0] 寄存器中生成所需的系数。