ZHCSX59A August   2024  – August 2025 TAS2120

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 工作模式
        1. 6.3.1.1 硬件关断
        2. 6.3.1.2 硬件配置模式
        3. 6.3.1.3 软件电源模式控制和软件复位
        4. 6.3.1.4 高效和节能模式
          1. 6.3.1.4.1 噪声门
          2. 6.3.1.4.2 音乐效率模式
          3. 6.3.1.4.3 VDD Y 桥
          4. 6.3.1.4.4 H 类升压
        5. 6.3.1.5 2S 电池模式
        6. 6.3.1.6 外部 PVDD 模式
      2. 6.3.2 故障和状态
        1. 6.3.2.1 中断生成和清除
    4. 6.4 特性说明
      1. 6.4.1  PurePath™ Console 3 软件
      2. 6.4.2  播放信号路径
        1. 6.4.2.1 数字音量控制和放大器输出电平
        2. 6.4.2.2 高通滤波器
        3. 6.4.2.3 D 类放大器
        4. 6.4.2.4 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
          1. 6.4.2.4.1 电压限制器和削波保护
        5. 6.4.2.5 音调发生器
      3. 6.4.3  数字音频串行接口
        1. 6.4.3.1 数字环回
      4. 6.4.4  内部升压
      5. 6.4.5  升压共享
      6. 6.4.6  外部 H 类升压控制器
      7. 6.4.7  电源电压监测
      8. 6.4.8  热保护
      9. 6.4.9  时钟和 PLL
        1. 6.4.9.1 基于自动时钟的唤醒和时钟错误
      10. 6.4.10 数字 IO 引脚
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 控制接口
      2. 6.5.2 I2C 地址选择
      3. 6.5.3 常规 I2C 运行
      4. 6.5.4 I2C 单字节和多字节传输
      5. 6.5.5 I2C 单字节写入
      6. 6.5.6 I2C 多字节写入
      7. 6.5.7 I2C 单字节读取
      8. 6.5.8 I2C 多字节读取
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1  页 0 寄存器
    2. 7.2  页 1 寄存器
    3. 7.3  页 2 寄存器
    4. 7.4  页 3 寄存器
    5. 7.5  页 4 寄存器
    6. 7.6  页 5 寄存器
    7. 7.7  页 6 寄存器
    8. 7.8  页 7 寄存器
    9. 7.9  页 8 寄存器
    10. 7.10 簿 100 页 9 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 单声道/立体声配置
        2. 8.2.2.2 升压转换器无源器件
        3. 8.2.2.3 EMI 无源器件
        4. 8.2.2.4 各种无源器件
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 应做事项和禁止事项
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4.4 内部升压

TAS2120 内部处理算法会在需要时自动启用升压。超前算法可监控电池电压和数字音频流。当扬声器输出接近电池电压时，会及时启用升压以提供所需的扬声器输出电压。当不再需要升压转换器时，会将其禁用并旁路以更大限度地提高效率。可以将升压配置为两种模式之一。第一种是低浪涌（G 类），仅支持升压关断，具有最低的浪涌电流。第二种是高效率（H 类），其中升压电压电平调整为刚好高于所需的值。该模式更高效，但浪涌电流更高，可快速转换电平。这可以通过使用 BST_MODE[1:0] 寄存器位来配置。

TAS2120 升压模式信号跟踪示例图 6-10 升压模式信号跟踪示例
表 6-31 升压模式
BST_MODE[1:0]升压模式
00H 类 - 高效率（默认）
01G 类 - 低浪涌电流
10常开
11始终关闭 - 直通

可以使用 BST_EN 寄存器来启用和禁用升压。当使用外部电源通过 PVDD 引脚驱动 D 类放大器时，应禁用升压，并且 SW 引脚应保持悬空。

表 6-32 升压启用
BST_EN升压
0禁用（外部 PVDD 模式）
1启用（默认设置）

最大升压电压由 VBOOST_MAX_CTRL[7:0] 设置。在 G 类模式下运行时，升压（如果需要）为该电压。在 H 类运行模式下，升压电压是根据音频信号自动选择的，但不会超过该设置值。在 H 类模式下，H 类控制器以 33mV 的最小阶跃来控制升压，以生成所需的 PVDD 电压。器件生成的最大升压电压由 VBOOST_MAX_CTRL[7:0] 控制，能够以 66mV 的阶跃大小进行配置。

表 6-33 升压最大调节电压
VBOOST_MAX_CTRL[7:0] 升压电压 (V)
0x00 - 0x53 保留
0x54 5.54V
0x55 5.61V
... ... 66mV 阶跃/LSB 阶跃 ...
0xA7 11.02V
... ... 66mV 阶跃/LSB 阶跃 ...
0xE3 14.98V（默认值）
0xE4 15.05V
0xE5 15.11V
0xE6 - 0xFF 保留
在轻负载（例如正弦波的过零点附近）时，升压自动进入 PFM 模式以提高系统效率。当升压以 PFM 模式运行时，可以使用 BST_MIN_FREQ_SEL 来调整最小脉冲频率。设置较高的 PFM 频率可确保升压频率始终高于设置的阈值，但这样会增加系统功耗。
表 6-34 有效模式 PFM 频率下限
BST_MIN_FREQ_SEL[1:0] 下限
00 无下限（默认）
01 25kHz
10 50kHz
11 RESERVED

通过使用 BST_ILIM[23:0] 寄存器来控制升压消耗的峰值电流，该寄存器限制从 VBAT 电源消耗的电流。该设置可以灵活地为各种饱和电流选择电感器。系统应始终使用最小饱和电流 (ISAT) 至少比编程的 BST_ILIM 设置高 5% 的电感器。如果电感器的 ISAT 低于 BST_ILIM 设置，则升压电路会变得不稳定。可以使用 PPC3软件以 39.1mA 阶跃在 1.5A 至 5.1A 范围内调整电流限制。

要更改 BST_ILIM、VBOOST_MAX_CTRL 等升压配置，需要重新调优 CLASSH_TUNING_xx[23:0] 寄存器等器件参数，以在确保无功能故障的同时实现最佳性能。应使用 PPC3 工具更改此配置，以自动重新配置所有关联的器件参数。

对于多通道系统，可以移动升压相位，以确保每个器件将在不同的时间点从电池汲取峰值电流，从而降低电池提供的瞬时峰值电流。可以使用 BOOST_PHASE_SYNC_EN 启用多个器件之间的升压同步。可以使用 I2 目标地址器件（使用 BOOST_PHASE_FROM_ADDRESS_PIN 寄存器进行检测）将各个器件升压相位自动配置为不同的值，也可以使用 BOOST_PHASE 寄存器手动对其进行配置。升压相移由每个器件使用 FSYNC 脉冲同步每个器件来完成，所有需要升压相位同步的器件应连接到来自系统中主机的同一 FSYNC。

表 6-35 升压同步
BOOST_PHASE_SYNC_EN 状态
0 禁用
1 启用（默认设置）
表 6-36 通过 I2C 目标地址进行升压相位选择
BOOST_PHASE_FROM_ADDRESS_PIN 状态
0 禁用（默认设置）
1 启用
表 6-37 升压相位手动选择（当 BOOST_PHASE_FROM_ADDRESS_PIN = 0 时）
BOOST_PHASE[1:0] 相位延迟
00 相移为 0ns（默认设置）
01 相移为 65ns（对于最大时钟，约为 90°）
10 相移为 130ns（对于最大时钟，约为 180°）
11 相移为 195ns（对于最大时钟，约为 270°）