ZHCSXB3B November   2024  – October 2025 MSPM0G1518 , MSPM0G1519 , MSPM0G3518 , MSPM0G3519

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
    1. 5.1 器件比较图
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      11
    3. 6.3 信号说明
      1.      13
      2.      14
      3.      15
      4.      16
      5.      17
      6.      18
      7.      19
      8.      20
      9.      21
      10.      22
      11.      23
      12.      24
      13.      25
      14.      26
      15.      27
      16.      28
      17.      29
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序控制
      1. 7.6.1 电源斜坡
      2. 7.6.2 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 比较器 (COMP)
      1. 7.15.1 比较器电气特性
    16. 7.16 DAC
      1. 7.16.1 DAC_电源规格
      2. 7.16.2 DAC 输出规格
      3. 7.16.3 DAC 动态规格
      4. 7.16.4 DAC 线性度规格
      5. 7.16.5 DAC 时序规格
    17. 7.17 I2C
      1. 7.17.1 I2C 特性
      2. 7.17.2 I2C 滤波器
      3. 7.17.3 I2C 时序图
    18. 7.18 SPI
      1. 7.18.1 SPI
      2. 7.18.2 SPI 时序图
    19. 7.19 UART
    20. 7.20 TIMx
    21. 7.21 TRNG
      1. 7.21.1 TRNG 电气特性
      2. 7.21.2 TRNG 开关特性
    22. 7.22 仿真和调试
      1. 7.22.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  功能方框图
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0Gx51x)
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 COMP
    17. 8.17 DAC
    18. 8.18 安全性
    19. 8.19 TRNG
    20. 8.20 AESADV
    21. 8.21 密钥库
    22. 8.22 CRC-P
    23. 8.23 MATHACL
    24. 8.24 UART
    25. 8.25 I2C
    26. 8.26 SPI
    27. 8.27 CAN-FD
    28. 8.28 低频子系统 (LFSS)
    29. 8.29 RTC_B
    30. 8.30 IWDT_B
    31. 8.31 WWDT
    32. 8.32 计时器 (TIMx)
    33. 8.33 器件模拟连接
    34. 8.34 输入/输出图
    35. 8.35 串行线调试接口
    36. 8.36 引导加载程序 (BSL)
    37. 8.37 器件出厂常量
    38. 8.38 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 托盘信息
    2.     封装选项附录

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ZAW|100
  • RGZ|48
  • RHB|32
  • PM|64
  • PN|80
  • PZ|100
  • PT|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.10.1 电气特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VIH 高电平输入电压 ODIO (1) VDD ≥ 1.62V 0.7*VDD 5.5 V
VDD ≥ 2.7V 2 5.5 V
除 ODIO 和复位以外的所有 I/O VDD ≥ 1.62V 0.7*VDD VDD+0.3 V
VIL 低电平输入电压 ODIO VDD ≥ 1.62V -0.3 0.3*VDD V
VDD ≥ 2.7V -0.3 0.8 V
除 ODIO 和复位以外的所有 I/O VDD ≥ 1.62V -0.3 0.3*VDD V
VHYS 迟滞 ODIO 0.05*VDD V
除 ODIO 以外的所有 I/O 0.1*VDD V
Ilkg 高阻态漏电流（除 PZ、PN、PM 之外的所有封装） SDIO(2)(3) 1.62V ≤ VDD ≤ 3.6V，-40 °C ≤ Ta ≤ 125 °C 50(4) nA
高阻态漏电流（PZ、PN、PM 封装） SDIO(2)(3) 1.62V ≤ VDD ≤ 3.6V，-40 °C ≤ Ta ≤ 25 °C 70(4) nA
1.62V ≤ VDD ≤ 3.6V，-40 °C ≤ Ta ≤ 125 °C 400(4) nA
RPU 上拉电阻 除 ODIO 以外的所有 I/O VIN = VSS 40 kΩ
RPD 下拉电阻 VIN = VDD 40 kΩ
CI 输入电容 VDD = 3.3V 5 pF
VOH 高电平输出电压 SDIO VDD≥2.7V，|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V，|IIO|,max=2mA
VDD≥1.62V，|IIO|,max=1.5mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 25 °C		 VDD-0.4 V
VDD≥2.7V，|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V，|IIO|,max=2mA
VDD≥1.62V，|IIO|,max=1.5mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 125 °C		 VDD-0.45
HSIO VDD≥2.7V，DRV=1，|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V，DRV=1，|IIO|,max=3mA
VDD≥1.62V，DRV=1，|IIO|,max=2mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 25 °C		 VDD-0.4
VDD≥2.7V，DRV=1，|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V，DRV=1，|IIO|,max=3mA
VDD≥1.62V，DRV=1，|IIO|,max=2mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 125 °C		 VDD-0.45
VDD≥2.7V，DRV=0，|IIO|,max=4mA
VDD≥1.71V，DRV=0，|IIO|,max=2mA
VDD≥1.62V，DRV=0，|IIO|,max=1.5mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 25 °C		 VDD-0.4
VDD≥2.7V，DRV=0，|IIO|,max=4mA
VDD≥1.71V，DRV=0，|IIO|,max=2mA
VDD≥1.62V，DRV=0，|IIO|,max=1.5mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 125 °C		 VDD-0.45
HDIO VDD≥2.7V，DRV=1(5)，|IIO|,max=20mA
VDD≥1.71V，DRV=1(5)，|IIO|,max=10mA		 VDD-0.4
VDD ≥ 2.7V，DRV = 0，|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V，DRV = 0，|IIO|,max = 2mA		 VDD-0.4
VOL 低电平输出电压 SDIO VDD≥2.7V，|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V，|IIO|,max=2mA
VDD≥1.62V，|IIO|,max=1.5mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 25 °C		 0.4 V
VDD≥2.7V，|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V，|IIO|,max=2mA
VDD≥1.62V，|IIO|,max=1.5mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 125 °C		 0.45
HSIO VDD≥2.7V，DRV=1，|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V，DRV=1，|IIO|,max=3mA
VDD≥1.62V，DRV=1，|IIO|,max=2mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 25 °C		 0.4
VDD≥2.7V，DRV=1，|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V，DRV=1，|IIO|,max=3mA
VDD≥1.62V，DRV=1，|IIO|,max=2mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 125 °C		 0.45
VDD≥2.7V，DRV=0，|IIO|,max=4mA
VDD≥1.71V，DRV=0，|IIO|,max=2mA
VDD≥1.62V，DRV=0，|IIO|,max=1.5mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 25 °C		 0.4
VDD≥2.7V，DRV=0，|IIO|,max=4mA
VDD≥1.71V，DRV=0，|IIO|,max=2mA
VDD≥1.62V，DRV=0，|IIO|,max=1.5mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 125 °C		 0.45
HDIO VDD≥2.7V，DRV=1(5)，|IIO|,max=20mA
VDD≥1.71V，DRV=1(5)，|IIO|,max=10mA		 0.4
VDD ≥ 2.7V，DRV = 0，|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V，DRV = 0，|IIO|,max = 2mA		 0.4

ODIO

 VDD≥2.7V，IOL,max=8mA
VDD≥1.71V，IOL,max=4mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 25 °C		 0.4
VDD≥2.7V，IOL,max=8mA
VDD≥1.71V，IOL,max=4mA
-40 °C ≤ Ta ≤ 125 °C		 0.45
(1) I/O 类型：ODIO = 5V 容限开漏，SDIO = 标准驱动，HSIO = 高速，HDIO = 高驱动
(2) 除非另有说明，否则漏电流是在将 VSS 或 VDD 施加到相应引脚的情况下测量的。
(3) 数字端口引脚的漏电流单独测量。为输入选择端口引脚，而且上拉/下拉电阻器被禁用。
(4) 此值适用于 SDIO 不与任何模拟输入进行多路复用的情况。如果 SDIO 与模拟输入进行多路复用，则漏电流会更高。 
(5) 当在 DRV=1 高驱动强度配置下运行 HDIO 时，需要一个串联电阻器来限制信号转换率