ZHCSXB3B November   2024  – October 2025 MSPM0G1518 , MSPM0G1519 , MSPM0G3518 , MSPM0G3519

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
    1. 5.1 器件比较图
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      11
    3. 6.3 信号说明
      1.      13
      2.      14
      3.      15
      4.      16
      5.      17
      6.      18
      7.      19
      8.      20
      9.      21
      10.      22
      11.      23
      12.      24
      13.      25
      14.      26
      15.      27
      16.      28
      17.      29
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序控制
      1. 7.6.1 电源斜坡
      2. 7.6.2 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 比较器 (COMP)
      1. 7.15.1 比较器电气特性
    16. 7.16 DAC
      1. 7.16.1 DAC_电源规格
      2. 7.16.2 DAC 输出规格
      3. 7.16.3 DAC 动态规格
      4. 7.16.4 DAC 线性度规格
      5. 7.16.5 DAC 时序规格
    17. 7.17 I2C
      1. 7.17.1 I2C 特性
      2. 7.17.2 I2C 滤波器
      3. 7.17.3 I2C 时序图
    18. 7.18 SPI
      1. 7.18.1 SPI
      2. 7.18.2 SPI 时序图
    19. 7.19 UART
    20. 7.20 TIMx
    21. 7.21 TRNG
      1. 7.21.1 TRNG 电气特性
      2. 7.21.2 TRNG 开关特性
    22. 7.22 仿真和调试
      1. 7.22.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  功能方框图
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0Gx51x)
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 COMP
    17. 8.17 DAC
    18. 8.18 安全性
    19. 8.19 TRNG
    20. 8.20 AESADV
    21. 8.21 密钥库
    22. 8.22 CRC-P
    23. 8.23 MATHACL
    24. 8.24 UART
    25. 8.25 I2C
    26. 8.26 SPI
    27. 8.27 CAN-FD
    28. 8.28 低频子系统 (LFSS)
    29. 8.29 RTC_B
    30. 8.30 IWDT_B
    31. 8.31 WWDT
    32. 8.32 计时器 (TIMx)
    33. 8.33 器件模拟连接
    34. 8.34 输入/输出图
    35. 8.35 串行线调试接口
    36. 8.36 引导加载程序 (BSL)
    37. 8.37 器件出厂常量
    38. 8.38 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 托盘信息
    2.     封装选项附录

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ZAW|100
  • RGZ|48
  • RHB|32
  • PM|64
  • PN|80
  • PZ|100
  • PT|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

MSPM0Gx51x 微控制器 (MCU) 属于 MSP 高度集成的超低功耗 32 位 MCU 系列，该 MCU 系列基于增强型 Arm®Cortex®-M0+ 32 位内核平台，工作频率最高可达 80MHz。这些 MCU 为需要采用小型封装或高引脚数封装（高达 100 个引脚）的 256KB 至 512KB 闪存存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。这些器件包括双 CAN-FD 控制器、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。

该器件提供具有内置纠错码 (ECC) 且高达 512KB 的嵌入式闪存程序存储器，以及高达 128KB 的 SRAM（第一个 64kB 具有 ECC 和奇偶校验保护功能）。闪存存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。

可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP 保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种 AES 对称密码模式以及 TRNG 熵源提供了硬件加速。网络安全架构正等待 Arm® PSA 1 级认证。

提供了一组高性能模拟模块，如两个同步采样的 12 位 4Msps ADC（支持多达 27 个外部通道）、片上电压基准（1.4V 或 2.5V）、一个 12 位 1Msps DAC 和三个比较器（内置 8 位基准 DAC，可在低功耗和高速模式下运行）。

TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件，可让客户找到满足其工程需求的 MCU。MSPM0 MCU 平台将 Arm Cortex-M0+ 平台与超低功耗整体系统架构相结合，使系统设计人员能够在降低能耗的同时提高性能。

MSPM0Gx51x MCU 由广泛的硬件和软件生态系统提供支持，随附参考设计和代码示例，便于您快速开始设计。开发套件包括可供购买的 LaunchPad。TI 还提供免费的 MSPM0 软件开发套件 (SDK)，该套件在 TI Resource Explorer 中作为 Code Composer Studio™ IDE 桌面版和云版组件提供。MSPM0 MCU 还通过 MSP Academy 提供广泛的在线配套资料、培训，并通过 TI E2E™ 支持论坛提供在线支持。

有关完整的模块说明，请参阅 MSPM0 G 系列 80MHz 微控制器技术参考手册。

警告：

系统级静电放电 (ESD) 保护必须符合器件级 ESD 规范，以防发生电过应力或对数据或代码存储器造成干扰。有关更多信息，请参阅 MSP430™ 系统级 ESD 注意事项。本应用手册中的准则适用于 MSPM0 MCU。

器件信息
器件型号封装(1)封装尺寸(2)

MSPM0G1518SZAWR

ZAW（nFBGA，100）

9mm x 9mm

MSPM0G1519SZAWR

MSPM0G3518SZAWR

MSPM0G3519SZAWR

MSPM0G1518SPZR

PZ（LQFP，100）

16mm x 16mm

MSPM0G1519SPZR

MSPM0G3518SPZR

MSPM0G3519SPZR

MSPM0G1518SPNR

PN（LQFP，80）

14mm x 14mm

MSPM0G1519SPNR

MSPM0G3518SPNR

MSPM0G3519SPNR

MSPM0G1518SPMR

PM（LQFP，64）

12mm x 12mm
MSPM0G1518SPM

MSPM0G1519SPMR

MSPM0G3518SPMR

MSPM0G3519SPMR

MSPM0G1518SPTR

PT（LQFP，48）

9mm x 9mm

MSPM0G1519SPTR

MSPM0G3518SPTR

MSPM0G3519SPTR

MSPM0G1518SRGZR

RGZ（VQFN，48）

7mm x 7mm

MSPM0G1519SRGZR

MSPM0G3518SRGZR

MSPM0G3519SRGZR

MSPM0G1518S42YCJR

YCJ（DSBGA，42）

2.841mm x 2.383mm

MSPM0G1519S42YCJR

MSPM0G3518S42YCJR

MSPM0G3519S42YCJR

MSPM0G1518SRHBR

RHB（VQFN，32）

5mm x 5mm

MSPM0G1519SRHBR

MSPM0G3518SRHBR

MSPM0G3519SRHBR

(1) 有关更多信息，请参阅节 12。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值并包括引脚（如适用）