ZHCSUG4 January 2024 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
该器件受到全面保护,可防止 MOSFET 发生任何跨导 - 在高侧和低侧 MOSFET 切换期间,MCF8315C-Q1 通过插入死区时间 (tdead) 来避免击穿事件。这是通过检测高侧和低侧 MOSFET 的栅源电压 (VGS) 并确保高侧 MOSFET 的 VGS 已降至低于关断电平,然后再导通同一半桥的低侧 MOSFET(反之亦然)来实现的,如图 6-13 和图 6-14 所示。图 6-14 中显示的高侧和低侧 MOSFET 的 VGS(VGS_HS 和 VGS_LS)是内部信号。