ZHCSWW7B August 2024 – August 2025 LM5137-Q1
PRODUCTION DATA
表 8-2 展示了此汽车电路示例的预期输入、输出和性能参数。
| 设计参数 | 值 |
|---|---|
| 输入电压范围(稳态) | 6.5V 至 36V,标称电压 13.5V |
| 最小瞬态输入电压(冷启动) | 4.5V |
| 最大瞬态输入电压(负载突降) | 36V |
| 输出电压 | 5V、3.3V |
| 输出电流 (EDC)(1) | 20A |
| 输出电流 (TDC)(1) | 15A |
| 开关频率 | 440kHz |
| 5V、15A 条件下的目标效率 | 96% |
| 3.3V、15A 条件下的目标效率 | 94.5% |
| 输出电压调节 | ±1% |
| 环路交叉频率 | 60kHz |
| 相位裕度 | > 45° |
| 空载睡眠电流,通道 2 被禁用 | < 20µA |
| 关断电流 | 4µA |
电阻器 RRT 将开关频率设置为 440kHz。在控制环路性能方面,目标环路交叉频率设置为开关频率(本例中为 60kHz)的 10% 至 15% 范围内,其中目标相位裕度大于 45°。在 RSS 处连接一个 20kΩ 电阻会将输出电压软启动时间设置为 4.6ms。
表 8-3 中列出了所选的降压稳压器动力总成系统器件,其中很多器件都可以从多个供应商处获得。功率 MOSFET 介绍了选择功率 MOSFET 以实现最低的导通和开关功率损耗。此应用电路使用了 40V 逻辑电平 功率 MOSFET、具有低 DCR 的金属合金降压电感器、低 ESL 分流器以及陶瓷输入和输出电容器,这些器件均符合 AEC 标准。
| 参考位号 | 数量 | 规格(1) | 制造商 | 器件型号 |
|---|---|---|---|---|
| CIN1、CIN2 | 8 | 10µF,50V,X7R,1210,陶瓷,AEC-Q200 | TDK | CNA6P1X7R1H106K |
| 10µF,50V,X7S,1210,陶瓷,AEC-Q200 | Murata | GCM32EC71H106K | ||
| TDK | CGA6P3X7S1H106K | |||
| COUT1、COUT2 | 8 | 47µF,10V,X7S,1210,陶瓷,AEC-Q200 | TDK | CNA6P1X7S1A476M |
| Murata | GCM32EC71A476K | |||
| LO1、LO2 | 2 | 1µH,2.3mΩ,37A,10.85mm × 10mm × 5.2mm,AEC-Q200 | Cyntec | VCHA105D-1R0MS6 |
| 1µH,2.3mΩ,37A,11mm × 10mm × 5.1mm,AEC-Q200 | Bourns | SRP1050WA-1R0M | ||
| 1µH,2.1mΩ,24A,10.8mm × 10mm × 5mm,AEC-Q200 | Eaton | HCM1A1105V2-1R0-R | ||
| 1µH,2.7mΩ,33.8A,10.85mm × 10mm × 3.8mm,AEC-Q200 | Würth Electronik | 784373680010 | ||
| 1µH,2.4mΩ,36.6A,10.5mm × 10mm × 6.5mm,AEC-Q200 | TDK | SPM10065VT-1R0M-D | ||
| Q1、Q3 | 2 | 40V,3.6mΩ,9nC,SON 5 × 6,AEC-Q101 | Infineon | IAUCN04S7L028ATMA1 |
| Q2、Q4 | 2 | 40V,2.4mΩ,15nC,SON 5 × 6,AEC-Q101 | Infineon | IAUCN04S7L019ATMA1 |
| RS1、RS2 | 2 | 分流器,2mΩ ±2%,±100ppm/°C,1225,3W,AEC-Q200 | Susumu | KRL6432E-M-R002-G |
| U1 | 1 | LM5137-Q1 80V 双输出降压控制器、AEC-Q100 | 德州仪器 (TI) | LM5137QRHARQ1 |