ZHCSRC3B December   2022  – March 2025 IWRL6432

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
    1. 5.1 相关产品
  7. 6 终端配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 信号说明
      1.      11
      2.      12
      3.      13
      4.      14
      5.      15
      6.      16
      7.      17
      8.      18
      9.      19
      10.      20
      11.      21
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      14.      24
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      17.      27
    3.     28
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  上电小时数 (POH)
    4. 7.4  建议运行条件
    5. 7.5  一次性可编程 (OTP) 电子保险丝的 VPP 规格
      1. 7.5.1 建议的 OTP eFuse 编程操作条件
      2. 7.5.2 硬件要求
      3. 7.5.3 对硬件保修的影响
    6. 7.6  电源规格
      1. 7.6.1 低功耗 3.3V I/O 拓扑
      2. 7.6.2 BOM 优化的 3.3V I/O 拓扑
      3. 7.6.3 低功耗 1.8V I/O 拓扑
      4. 7.6.4 BOM 优化的 1.8V I/O 拓扑
      5. 7.6.5 系统拓扑
        1. 7.6.5.1 电源拓扑
          1. 7.6.5.1.1 BOM 优化模式
          2. 7.6.5.1.2 低功耗模式
      6. 7.6.6 BOM 优化型拓扑的内部 LDO 输出去耦电容器和布局条件
        1. 7.6.6.1 单电容器轨
          1. 7.6.6.1.1 1.2V 数字 LDO
        2. 7.6.6.2 双电容器轨
          1. 7.6.6.2.1 1.2V 射频 LDO
          2. 7.6.6.2.2 1.2V SRAM LDO
          3. 7.6.6.2.3 1.0V 射频 LDO
      7. 7.6.7 噪声和纹波规格
    7. 7.7  节电模式
      1. 7.7.1 功耗典型数值
    8. 7.8  每个电压轨的峰值电流要求
    9. 7.9  射频规格
    10. 7.10 支持的 DFE 特性
    11. 7.11 CPU 规格
    12. 7.12 热阻特性
    13. 7.13 时序和开关特性
      1. 7.13.1  电源时序和复位时序
      2. 7.13.2  同步帧触发
      3. 7.13.3  输入时钟和振荡器
        1. 7.13.3.1 时钟规格
      4. 7.13.4  多通道缓冲/标准串行外设接口 (McSPI)
        1. 7.13.4.1 McSPI 特性
        2. 7.13.4.2 SPI 时序条件
        3. 7.13.4.3 SPI - 控制器模式
          1. 7.13.4.3.1 SPI 的时序和开关要求 - 控制器模式
          2. 7.13.4.3.2 SPI 输出时序的时序和开关特性 - 控制器模式
        4. 7.13.4.4 SPI - 外设模式
          1. 7.13.4.4.1 SPI 的时序和开关要求 — 外设模式
          2. 7.13.4.4.2 SPI 输出时序的时序和开关特性 - 次级模式
      5. 7.13.5  RDIF 接口配置
        1. 7.13.5.1 RDIF 接口时序
        2. 7.13.5.2 RDIF 数据格式
      6. 7.13.6  通用输入/输出
        1. 7.13.6.1 输出时序的开关特性与负载电容 (CL) 间的关系
      7. 7.13.7  控制器局域网 - 灵活数据速率 (CAN-FD)
        1. 7.13.7.1 CANx TX 和 RX 引脚的动态特性
      8. 7.13.8  串行通信接口 (SCI)
        1. 7.13.8.1 SCI 时序要求
      9. 7.13.9  内部集成电路接口 (I2C)
        1. 7.13.9.1 I2C 时序要求
      10. 7.13.10 四线串行外设接口 (QSPI)
        1. 7.13.10.1 QSPI 时序条件
        2. 7.13.10.2 QSPI 输入（读取）时序的时序要求
        3. 7.13.10.3 QSPI 开关特性
      11. 7.13.11 JTAG 接口
        1. 7.13.11.1 JTAG 时序条件
        2. 7.13.11.2 IEEE 1149.1 JTAG 的时序要求
        3. 7.13.11.3 IEEE 1149.1 JTAG 在推荐工作条件下的开关特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 子系统
      1. 8.3.1 射频 (RF) 和模拟子系统
      2. 8.3.2 时钟子系统
      3. 8.3.3 发送子系统
      4. 8.3.4 接收子系统
      5. 8.3.5 处理器子系统
      6. 8.3.6 主机接口
      7. 8.3.7 应用子系统 Cortex-M4F
      8. 8.3.8 硬件加速器 (HWA1.2) 特性
        1. 8.3.8.1 HWA1.1 和 HWA1.2 之间的硬件加速器特性差异
    4. 8.4 其他子系统
      1. 8.4.1 用于用户应用的 GPADC 通道（服务）
      2. 8.4.2 GPADC 参数
    5. 8.5 存储器分区示例
    6. 8.6 引导模式
  10. 9 监控和诊断
  11. 10应用、实施和布局
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 参考原理图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件命名规则
    2. 11.2 工具与软件
    3. 11.3 文档支持
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • AMF|102
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1 绝对最大额定值

参数(1)(2) 最小值 最大值 单位
VDD 1.2V 数字电源 -0.5 1.4 V
VIOIN I/O 电源（3.3V 或 1.8V）：所有 CMOS I/O 均在

相同的 VIOIN 电压电平上运行

 -0.5 3.8 V
VIOIN_18 用于 CMOS IO 的 1.8V 电源 -0.5 2 V
VIN_18CLK 用于时钟模块的 1.8V 电源 -0.5 2 V
VIN_18BB 1.8V 模拟基带电源 -0.5 2 V
VIN_18VCO 电源 1.8V 射频 VCO 电源 -0.5 2 V
VPP 保险丝链的电压电源 -0.5 2 V
RX1-3 射频输入端上的外部施加电源 10 dBm
TX1-2 射频输出端上的外部施加电源(3) 10 dBm
输入和输出电压范围 双电压 LVCMOS 输入，3.3V 或 1.8V（稳态） -0.3V VIOIN + 0.3 V
双电压 LVCMOS 输入，在 3.3V/1.8V（瞬态过冲/下冲）条件下运行，或外部振荡器输入 VIOIN + 20%，高达
信号周期的 20%
CLKP、CLKM 参考晶振输入端口 -0.5 2 V
钳位电流 输入或输出电压高于或低于各自电源轨 0.3V。限制流经 I/O 内部二极管保护单元的钳位电流。 -20 20 mA
TJ 工作结温范围 -40

105

 °C
TSTG 焊接到 PC 板上后的贮存温度范围 -55 150 °C
(1) 应力超出绝对最大额定值 下面列出的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅为压力额定值，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 除非另有说明，所有电压值均相对于 VSS。
(3) 此值用于 TX 上外部施加的信号电平。此外，可以在 TX 输出端上应用高达伽马 = 1 的反射系数。