ZHCUBA5 September 2023 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21759-Q1
最近，基于宽带隙 SiC FET 的电源模块凭借出色的导通和开关性能，代替 Si IGBT 应用于电力电子产品中。紧凑型驱动器板 UCC21710/50QDWEVM-054 通过减少寄生效应、更大限度地降低开关损耗和 EMI 并提供全面的必要保护和诊断特性来支持 SiC 模块。
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
电源电压和电流 | ||||||
| Vcc | VCC 电源电压 | 4.5 | 5.0 | 5.5 | V | |
| Vdd2u、Vdd2l | VDD 电源电压 | 来自变压器和 LDO | 15 | V | ||
| Vee2u、Vee2l | VEE 电源电压 | 来自变压器和并联稳压器 | -3 | V | ||
| 驱动电流 | ||||||
| Ioh | 峰值拉电流 | CLOAD = 10nF | 10 | A | ||
| Iol | 峰值灌电流 | CLOAD = 10nF | 10 | A | ||
| 输入/输出信号 | ||||||
| Vinr、Vrstr | IN+、IN-、RST/EN 上升阈值 | 0.7 x VCC | V | |||
| Vinf、Vrstf | IN+、IN-、RST/EN 下降阈值 | 0.3 x VCC | V | |||
| Vinh、Vrsth | INL+、INU+、RST 迟滞 | 0.1 x VCC | V | |||
| 时序参数 | ||||||
| Trise | 驱动输出上升时间 | CLOAD = 10nF | 33 | ns | ||
| Tfall | 驱动输出下降时间 | CLOAD = 10nF | 27 | ns | ||
| Tprop | 传播延迟 | CLOAD = 100pF | 90 | ns | ||
| 短路保护 - OC | ||||||
| Voc | 标称过流阈值 | 0.63 | 0.7 | 0.77 | V | |
Tocfil | OC 故障抗尖峰脉冲滤波器 | Ioc = 5mA | 120 | ns | ||
| Isto | 软关断下拉电流 | 400 | mA | |||
| Vclamp | 米勒钳位阈值 | 以 VEE 为基准 | 1.5 | 2.0 | 2.5 | V |
| Iclamp | 米勒钳位电流 | VCLMPI = 0V，VEE = –2.5V | 4 | A | ||
短路保护 - DESAT | ||||||
Ichg | 消隐电容器充电电流 | 430 | 500 | 570 | uA | |
Tdesatleb | 前沿消隐时间 | 200 | ns | |||
Tdesatfil | DESAT 抗尖峰脉冲滤波器 | 140 | ns | |||
Isto | 软关断下拉电流 | 400 | mA | |||
Vclmpi | 米勒钳位阈值 | 以 VEE 为基准 | 1.5 | 2 | 2.5 | V |
Iclmpi | 米勒钳位电流 | VCLMPI = 0V，VEE = –2.5V | 4 | A | ||
| 隔离 | ||||||
| Viso | 可承受的栅极驱动器隔离电压 | 增强型，60s | 5.7 | kVrms | ||
| Cio | 栅极驱动器的势垒电容 | 20 | pF | |||
| Ta | 栅极驱动器的工作环境温度 | -40 | 25 | 125 | °C | |