UCC21710-Q1 具有高级保护功能的 ±10A SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器 | 德州仪器 TI.com.cn

UCC21710-Q1
此产品为原型/实验产品,且尚未上市。测试和最终流程可能不完整。该产品可能会进一步变更或停产。
具有高级保护功能的 ±10A SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器

 

Sample availability

Preproduction samples are available (PUCC21710QDWQ1). Request now

描述

UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、出色的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

特性

  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 具有符合面向汽车 标准 (计划的认证)
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
  • RDY 上的 UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 较短传播延迟和较小脉冲/器件间偏移
  • 工作温度范围:–40°C 至 125°C
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离

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参数

与其它产品相比 隔离栅极驱动器 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Prop delay (ns) Operating temperature range (C) Package Group
UCC21710-Q1 立即下单 5700     8400     2121     1     IGBT
SiCFET    
  33     13     3     5.5     10     90     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5451-Q1 立即下单 5700     8000     1420     1     IGBT         30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5452-Q1 立即下单 5700     8000     1420     1     IGBT
SiCFET    
    30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5851-Q1 立即下单 5700     8000     2121     1     IGBT         30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5852S-Q1 立即下单 5700     8000     2121     1     IGBT
SiCFET    
    30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16