如需在运行时持续监控存储器区域而不暂停代码，请使用 Memory Browser。执行以下步骤进行持续监控：

1. 按照 MCU API 指南 CCS_Target_Launch 中的说明启动 AM263x controlCARD 的 .ccxml 文件
2. 在 Debug 窗口中找到 AM263X 目标配置。右键点击 .ccxml 并选择 Show all cores。
3. 连接到 R50_0 内核并加载工程的 .out 固件映像。在继续执行之前，首先执行剩余的步骤。
   图 5-8 显示 AM263x 中的所有内核
4. 转至 View 菜单项并打开 Memory Browser。选择 DAP 并将所选 DAP 固定到“Memory Browser”窗口。点击 System_View 并选择 Continuous Refresh Option（请参阅图 5-10）以进行持续监控，然后运行代码。这允许在运行时调试存储器区域，而无需暂停 R5 内核。
   图 5-9 将 CS_DAP_0 固定到 Memory Browser
   图 5-10 已固定 CS_DAP_0 用于实时调试的 Memory Browser
5. 如果 TCM 中存在变量，则使用 attribute 关键字将该变量放置在 OCRAM 中，以使其在 Memory Browser 中可见。例如，若要在 Memory Browser 中查看 TINV_startPowerStage 状态变量，请按以下方式定义该变量：

   volatile int32_t TINV_startPowerStage __attribute__((__section__(".DebugData")));

   可以在 Memory Browser 中监视和修改这些变量，如图 5-11 和图 5-12 所示。

   图 5-11 “Expressions”窗口中的 Gi 环路和功率级状态
   图 5-12 Memory Browser 中的 Gi 环路和功率级状态
6. 如果未实时刷新值，请暂停内核，并尝试禁用数据缓存。为此，请转至 Tools → ARM Advanced Features，并取消选中 Data Cache Enabled 选项。然后恢复内核执行，可查看实时存储器更新。