ZHCSUG4 January 2024 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
由于输出级使用 N 沟道 FET,因此该器件需要高于 VM 电源的栅极驱动电压才能导通高侧 FET。MCF8315C-Q1 集成了一个电荷泵电路,可为此目的生成高于 VM 电源的电压。
电荷泵需要两个外部电容器(CCP、CFLY)才能运行。有关这些电容器的详细信息(值、连接等),请参阅图 6-1、图 6-3 和节 4。