ZHCSI75B April 2008 – January 2016 LM7332
PRODUCTION DATA.
LM7332 输出级根据设计可提供最大输出电流能力。即使瞬时输出对地短路并且在所有工作电压下都能容忍任意电源,但持续时间较长的短路状态可能会导致结温上升到超过器件的绝对最大额定值,特别是在电源电压较高的条件下。低于 6V 的电源电压时,可以无限期容忍输出短路状态。
运算放大器与负载连接时,该器件的功耗包括由于电源电流流入器件而产生的静态功耗以及由负载电流引起的功耗。负载功耗本身可包括一个平均值(由直流负载电流引起)和一个交流分量。如果存在输出电压偏移或输出交流平均电流不为零,或如果运算放大器工作在单电源应用中,而此情况下的输出保持在线性工作范围内的某处,那么直流负载电流将会流动起来。
因此,
运算放大器静态功耗根据Equation 6 算出:
where
直流负载功耗根据Equation 7 算出:
where
交流负载功耗的计算方式为 PAC = Table 1 所示的值。
Table 1 显示了运算放大器在标准正弦波、三角波和方波波形条件下的负载功耗的最大交流分量:
PAC (W.Ω/V2) | ||
---|---|---|
正弦波 | 三角波 | 方波 |
50.7 x 10−3 | 46.9 x 10−3 | 62.5 x 10−3 |
表格条目标准化为 VS2/RL。要计算功耗的交流负载电流分量,只需将对应于输出波形的表格条目乘以系数 VS2/RL 即可。例如,在 ±12V 电源、600Ω 负载和三角波波形的条件下,输出级中的功耗计算如下:
特定温度下允许的最大功耗是允许的最高管芯结温 (TJ(MAX))、环境温度 TA 和结至环境的封装热阻 RθJA 的函数。
对于 LM7332,允许的最高结温为 150°C,在此温度下不允许有功耗。同样,25°C 下的功率容量由Equation 10 和Equation 11 算出。
对于 VSSOP 封装:
对于 SOIC 封装:
同样,125℃ 下的功率容量由Equation 12 和 Equation 13 算出。
对于 VSSOP 封装:
对于 SOIC 封装:
Figure 54 显示了采用 VSSOP 和 SOIC 封装时的功率容量与温度间的关系。最大热性能线下面的区域是器件的工作区域。当器件在 PTOTAL 小于 PD(MAX) 的工作区域内工作时,器件结温将保持在 150°C 以下。如果环境温度与封装功率的交汇点高于最大热性能线,则结温将超过 150°C,必须严格禁止这种情况。
当需要高功率而又不能降低环境温度时,提供气流是降低热阻进而提高功率容量的有效方法。