ZHCSI75B April   2008  – January 2016 LM7332

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      输出摆幅与拉电流间的关系
      2.      各种容性负载的大信号阶跃响应
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议的工作状态
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 5V 电气特性
    6. 6.6 ±5V 电气特性
    7. 6.7 ±15V 电气特性
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 估算输出电压摆幅
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 驱动容性负载
      2. 7.4.2 输出电压摆幅接近 V−
  8. 8 以下一些应用中
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 类似的高电流输出器件
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 输出短路电流和功耗问题
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 社区资源
    2. 11.2 商标
    3. 11.3 静电放电警告
    4. 11.4 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 ±5V 电气特性

除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = +5V，V− = −5V，VCM = 0V，VO = 0V，且 RL > 1MΩ（连接至 0V）。(1)
参数 测试条件 最小值 (2) 典型值 (3) 最大值 (2) 单位
VOS 输入失调电压 VCM = −4.5V 以及 VCM = 4.5V −4 ±1.6 4 mV
在极端温度下 −5 5
TC VOS 输入失调电压温漂 VCM = −4.5V 以及 VCM = 4.5V (4) ±2 µV/°C
IB 输入偏置电流 请参阅 (5) −2 ±1 2 µA
在极端温度下 −2.5 2.5
IOS 输入失调电流 20 250 nA
在极端温度下 300
CMRR 共模抑制比 −5V ≤ VCM ≤ 3V 74 88 dB
在极端温度下 75
−5V ≤ VCM ≤ 5V 70 74
在极端温度下 65
PSRR 电源抑制比 5V ≤ V+ ≤ 30V，VCM = −4.5V 78 100 dB
在极端温度下 74
CMVR 输入共模电压范围 CMRR > 50dB 5.1 –5.3 –5.1 V
在极端温度下 5 5.3 –5.1
AVOL 大信号电压增益 −4V ≤ VO ≤ 4V
RL = 10kΩ（连接至 0V）		 72 80 dB
在极端温度下 70
VO 输出摆幅
高位		 RL = 10kΩ（连接至 0V）
VID = 100mV		 75 250 mV（相对于任一电源轨）
在极端温度下 300
RL = 2kΩ（连接至 0V）
VID = 100mV		 125 350
在极端温度下 400
输出摆幅
低位		 RL = 10kΩ（连接至 0V）
VID = −100mV		 10 250
在极端温度下 300
RL = 2kΩ（连接至 0V）
VID = −100mV		 30 350
在极端温度下 400
ISC 输出短路电流 拉电流从 V+ 拉出，VID = 200mV (6) 90 120 mA
灌电流灌入 V−，VID = −200mV (6) 90 100
IOUT 输出电流 VID = ±200mV，VO = 1V（相对于电源轨） ±65 mA
IS 总电源电流 空载，VCM = −4.5V 1.5 2.4 mA
在极端温度下 2.6
SR 压摆率(7) AV = +1，VI = 8V 阶跃，RL = 1MΩ，
CL = 10pF		 13.2 V/µs
ROUT 闭环输出电阻 AV = +1，f = 100kHz 3 Ω
fu 单位增益频率 RL = 10MΩ，CL = 20pF 7.9 MHz
GBWP 增益带宽积 f = 50kHz 19.9 MHz
en 输入基准电压噪声 f = 2kHz 14.7 nV/√HZ
in 输入基准电流噪声 f = 2kHz 1.3 pA/√HZ
THD+N 总谐波失真 + 噪声 AV = +2，RL = 100kΩ，f = 1kHz，
VO = 8VPP 		−87 dB
CT 抑制 串扰抑制 f = 3MHz，驱动器 RL = 10kΩ 68 dB
(1) 电气特性 值仅适用于所示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自发热大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的内部自发热条件下，某些参数性能规格（如电气表中所示）无法得到保证。
(2) 所有限值均根据测试或统计分析确定。
(3) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。
(4) 失调电压温漂等于极端温度下的 VOS 变化除以总温度变化值。
(5) 正电流相当于流入器件的电流。
(6) 短路测试是瞬时测试。在室温及低于室温的情况下，当 VS ≤ 6V 时，输出短路持续时间是无限的。VS > 6V 时，允许的短路持续时间为 1.5ms。
(7) 压摆率是上升压摆率和下降压摆率中的较慢者。作为电压跟随器连接。