ZHCSI75B April 2008 – January 2016 LM7332
PRODUCTION DATA.
LM7332 的输出级设计可确保电压摆幅在任意电源轨的几毫伏范围内，从而实现最大的灵活性并扩大可用范围。得益于这种设计架构，当输出接近任一电源轨时，输出晶体管集电极-基极结反向偏置将减小。当输出低于与任一电源轨的差值 Vbe 时，相应的输出晶体管将接近饱和状态。在这种工作模式下，晶体管表现出更高的结电容和更低的 ft，而这会降低相位裕度。当噪声增益（NG = 1 + RF/RG，其中的 RF 和 RG 是外部增益设置电阻）为 2 或更大值时，相位裕度足够大，因此这种相位裕度降低问题无关紧要。但是，在噪声增益较小 (<2) 且提供给电源轨的电压小于 150mV 时，如果输出负载较轻，则相位裕度降低可能会导致不必要的振荡。
在使用 LM7332 的情况下，由于其固有的架构细节，仅当输出摆幅在 V− 的 150mV 范围内时，才会在 V− 处发生与输出晶体管相关的振荡。但是，如果该输出晶体管的集电极电流大于其几微安的空闲值，则相位裕量损失会变得不明显。在这种情况下，输出晶体管需要 300μA 的集电极电流来纠正这种情况。所以，当所有上述临界条件同时出现时（NG < 2、VOUT < 150mV（相对于电源轨）且输出负载较轻），为了确保稳定性，可在输出端增加负载电阻器，从而为输出晶体管提供必要的最小集电极电流 (300μA)。
例如，工作电压为 12V（或 ±6V）时，在输出端到 V+ 之间添加一个 39kΩ 的电阻器，即可产生 300μA 的输出灌电流并确保稳定性。这样一来，相当于总静态功耗增加约 15%。