ZHCSU14 November   2023 CC1312PSIP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 功能方框图
  6. 修订历史记录
  7. 器件比较
  8. 引脚配置和功能
    1. 7.1 引脚图 – MOT 封装(顶视图)
    2. 7.2 信号说明 – MOT 封装
    3. 7.3 未使用的引脚和模块的连接
  9. 规格
    1. 8.1  绝对最大额定值
    2. 8.2  ESD 等级
    3. 8.3  建议运行条件
    4. 8.4  电源和模块
    5. 8.5  功耗 - 电源模式
    6. 8.6  功耗 - 无线电模式
    7. 8.7  非易失性(闪存)存储器特性
    8. 8.8  热阻特性
    9. 8.9  射频频带
    10. 8.10 861MHz 至 1054MHz - 接收 (RX)
    11. 8.11 861MHz 至 1054MHz - 发送 (TX) 
    12. 8.12 861MHz 至 1054MHz - PLL 相位噪声宽带模式
    13. 8.13 861MHz 至 1054MHz - PLL 相位噪声窄带模式
    14. 8.14 时序和开关特性
      1. 8.14.1 复位时序
      2. 8.14.2 唤醒时间
      3. 8.14.3 时钟规范
        1. 8.14.3.1 48MHz 晶体振荡器 (XOSC_HF) 和射频频率精度
        2. 8.14.3.2 48MHz RC 振荡器 (RCOSC_HF)
        3. 8.14.3.3 2MHz RC 振荡器 (RCOSC_MF)
        4. 8.14.3.4 32.768kHz 晶体振荡器 (XOSC_LF) 和 RTC 精度
        5. 8.14.3.5 32kHz RC 振荡器 (RCOSC_LF)
      4. 8.14.4 同步串行接口 (SSI) 特性
        1.       36
          1. 8.14.4.1.1 同步串行接口 (SSI) 特性
      5. 8.14.5 UART
        1. 8.14.5.1 UART 特性
    15. 8.15 外设特性
      1. 8.15.1 ADC
        1. 8.15.1.1 模数转换器 (ADC) 特性
      2. 8.15.2 DAC
        1. 8.15.2.1 数模转换器 (DAC) 特性
      3. 8.15.3 温度和电池监测器
        1. 8.15.3.1 温度传感器
        2. 8.15.3.2 电池监测器
      4. 8.15.4 比较器
        1. 8.15.4.1 低功耗时钟比较器
        2. 8.15.4.2 持续时间比较器
      5. 8.15.5 电流源
        1. 8.15.5.1 可编程电流源
      6. 8.15.6 GPIO
        1. 8.15.6.1 GPIO 直流特性
    16. 8.16 典型特性
      1. 8.16.1 MCU 电流
      2. 8.16.2 RX 电流
      3. 8.16.3 TX 电流
      4. 8.16.4 RX 性能
      5. 8.16.5 TX 性能
      6. 8.16.6 ADC 性能
      7. 8.16.7 温度补偿
  10. 详细说明
    1. 9.1  概述
    2. 9.2  系统 CPU
    3. 9.3  无线电(射频内核)
      1. 9.3.1 专有无线电格式
    4. 9.4  存储器
    5. 9.5  传感器控制器
    6. 9.6  加密
    7. 9.7  计时器
    8. 9.8  串行外设和 I/O
    9. 9.9  电池和温度监测器
    10. 9.10 µDMA
    11. 9.11 调试
    12. 9.12 电源管理
    13. 9.13 时钟系统、生产校准和温度补偿
    14. 9.14 网络处理器
    15. 9.15 器件资格认证
      1. 9.15.1 FCC 认证和声明
      2. 9.15.2 IC/ISED 认证和声明
    16. 9.16 模块标识
    17. 9.17 最终产品标示
    18. 9.18 面向最终用户的手册信息
  11. 10应用、实施和布局
    1. 10.1 应用信息
      1. 10.1.1 典型应用电路
    2. 10.2 器件连接和布局基本准则
      1. 10.2.1 复位
      2. 10.2.2 未使用的引脚
    3. 10.3 PCB 布局指南
      1. 10.3.1 一般布局建议
      2. 10.3.2 射频布局建议
        1. 10.3.2.1 天线放置和布线
        2. 10.3.2.2 传输线注意事项
    4. 10.4 参考设计
  12. 11环境要求和 SMT 规格
    1. 11.1 PCB 折弯
    2. 11.2 操作环境
      1. 11.2.1 端子
      2. 11.2.2 跌落
    3. 11.3 贮存条件
      1. 11.3.1 打开防潮袋前
      2. 11.3.2 防潮袋打开
    4. 11.4 PCB 组装指南
      1. 11.4.1 PCB 焊盘图案和散热过孔
      2. 11.4.2 SMT 组装建议
      3. 11.4.3 PCB 表面光洁度要求
      4. 11.4.4 焊接模板
      5. 11.4.5 封装布局
      6. 11.4.6 焊点检查
      7. 11.4.7 返修和更换
      8. 11.4.8 焊点空隙
    5. 11.5 烘烤条件
    6. 11.6 回流焊条件
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件命名规则
    2. 12.2 工具和软件
      1. 12.2.1 SimpleLink™ 微控制器平台
    3. 12.3 文档支持
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

存储器

高达 352KB 的非易失性(闪存)存储器可以存储代码和数据。闪存存储器是系统内可编程和可擦除的存储器。闪存存储器最后一个扇区必须包含客户配置部分 (CCFG);引导 ROM 和 TI 提供的驱动程序使用该部分来配置器件。此配置是通过 ccfg.c 源文件完成的,TI 提供的所有示例中都包含该文件。

超低泄漏系统静态 RAM (SRAM) 分为最多 5 个 16KB 块,可用于存储数据和执行代码。默认情况下,允许在待机功耗模式下保留 SRAM 内容,其中包括待机模式功耗数值。用于检测存储器位错误的内置奇偶校验功能可以减少芯片级软错误,从而提高可靠性。系统 SRAM 在启动后执行代码时始终初始化为零。

为了在从非易失性存储器执行代码时提高代码执行速度并降低功耗,默认会启用 4 路非关联 8KB 高速缓存,用于存入和预取由系统 CPU 读取的指令。高速缓存可以用作通用 RAM,只需在客户配置区 (CCFG) 中启用此功能即可。

有一个 4KB 超低泄漏 SRAM 可与传感器控制器引擎配合使用,通常用于存储传感器控制器程序、数据和配置参数。系统 CPU 也可以访问此 RAM。系统复位后,传感器控制器 RAM 不会清零。

ROM 包括 TI-RTOS 内核和底层驱动程序以及所选无线电协议栈的重要部分,可以为应用释放闪存存储器。ROM 还包含可用于器件初始编程的串行(SPI 和 UART)引导加载程序。