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CSD18541F5

AKTIV

60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz

CSD18541F5

AKTIV

Produktdetails

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 65 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 75 VGSTH typ (typ) (V) 1.75 QG (typ) (nC) 11 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 ID - package limited (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 65 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 75 VGSTH typ (typ) (V) 1.75 QG (typ) (nC) 11 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 ID - package limited (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² (1.49 mm × 0.73 mm)
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
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  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 54-mΩ, 60-V, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many space constrained industrial load switch applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

This 54-mΩ, 60-V, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many space constrained industrial load switch applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt CSD18541F5 60-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 08.09.2021
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Designleitfaden FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 07.07.2016
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Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N-Kanal-Evaluierungsmodul

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Benutzerhandbuch: PDF
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Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
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