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CSD25484F4

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-20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 180 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.09 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.35 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 180 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.09 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.35 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJJ) 3 0.6 mm² (1 mm × 0.6 mm)
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.2-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.2-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 80-mΩ, –20-V, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 80-mΩ, –20-V, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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Technische Dokumentation

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* Datenblatt CSD25484F4 –20-V P-Channel FemtoFET MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 09.09.2021
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Designleitfaden FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 07.07.2016
Technischer Artikel A power MOSFET that boldly goes where no one has gone before PDF | HTML 24.09.2015

Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-Kanal-Evaluierungsmodul

Dieses FemtoFET P-Kanal-EVM enthält sechs Tochterkarten, von denen jede Karte eine andere FemtoFET P-Kanal-Teilenummer enthält.  Die Tochterkarten ermöglichen es dem Ingenieur, diese winzigen Bausteine einfach anzuschließen und zu testen.  Die sechs FemtoFETs reichen von 12V bis 20V VdS, und die (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD25484F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM154A.ZIP (3 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
PICOSTAR (YJJ) 3 Ultra Librarian
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