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CSD25484F4

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-20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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CSD25484F4

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 180 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.09 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.35 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 180 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.09 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.35 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJJ) 3 0.6 mm² 1 x 0.6
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.2-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.2-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 80-mΩ, –20-V, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 80-mΩ, –20-V, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-Kanal-Evaluierungsmodul

Dieses FemtoFET P-Kanal-EVM enthält sechs Tochterkarten, von denen jede Karte eine andere FemtoFET P-Kanal-Teilenummer enthält.  Die Tochterkarten ermöglichen es dem Ingenieur, diese winzigen Bausteine einfach anzuschließen und zu testen.  Die sechs FemtoFETs reichen von 12V bis 20V VdS, und die (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Unterstützte Produkte und Hardware

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Simulationsmodell

CSD25484F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM154A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
PICOSTAR (YJJ) 3 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

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Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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