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CSD16570Q5B

AKTIV

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm

Produktdetails

VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

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Technische Dokumentation

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Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16 Nov 2011

Design und Entwicklung

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Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Simulationsmodell

CSD16570Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM200.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
Simulationsmodell

CSD16570Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM132B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
Berechnungstool

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Berechnungstool

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Referenzdesigns

PMP23126 — 3-kW phasenverschobene Vollbrücke mit aktivem Klemmreferenzdesign mit > 270 W/in3 Leistungsdichte

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine GaN-basierte 3-kW-Phasenverschiebungs-Vollbrücke (PSFB), die auf maximale Leistungsdichte abzielt. Das Design verfügt über eine aktive Klemme, um die Spannungsbelastung der sekundären synchronen Gleichrichter-MOSFETs zu minimieren und die Verwendung (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

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Test report: PDF
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Test report: PDF
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TIDA-010087 — Referenzdesign für Batterieprüfgerät mit 100-A-Dual-Phase-Digitalsteuerung

Dieses Referenzdesign veranschaulicht eine Methode zur präzisen Strom- und Spannungsregelung einer bidirektionalen, verschachtelten Abwärtswandler-Leistungsstufe unter Verwendung eines C2000™-Mikrocontrollers (MCU) und eines ADS131M08-Präzisions-ADCs. Dieses Design erreicht einen (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

PMP40182 — Bi-direktionale Batterie-Initialisierungssystem-Leistungsplatine – Referenzdesign

Dieses Referenzdesign ist eine Referenzdesignlösung zur Batterieinitialisierung für Automobil- und Batterieanwendungen. Das Modul ermöglicht eine hocheffiziente einstufige Wandlung zum Laden und Entladen des Akkus. Dieses Design verfügt über einen auf 0,1 % genauen Stromregelkreis mit dem (...)
Test report: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VSON-CLIP (DNK) 8 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

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  • RoHS
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  • Bausteinkennzeichnung
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  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
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  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
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