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LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
CSD23285F5
P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mΩ, Gate-ESD-Schutz
Datenblatt
CSD23285F5
- Low on-resistance
- Low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint
- 1.53 mm × 0.77 mm
- 0.50-mm pad pitch
- Low profile
- 0.36-mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4 kV HBM
- Rated > 2 kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 29-mΩ, –12-V, P-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.
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Technische Dokumentation
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Alle anzeigen 10 | Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Datum |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | CSD23285F5 –12-V, P-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 08 Sep 2021 |
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| More literature | WCSP Handling Guide | 07 Nov 2019 | ||
| Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 07 Jul 2016 |
Design und Entwicklung
Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.
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| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJK) | 3 | Ultra Librarian |
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