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CSD19535KTT

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm

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CSD19535KTT

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Produktdetails

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.4 VGSTH typ (typ) (V) 2.7 QG (typ) (nC) 75 QGD (typ) (nC) 11 QGS (typ) (nC) 25 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 197 ID - package limited (A) 200 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.4 VGSTH typ (typ) (V) 2.7 QG (typ) (nC) 75 QGD (typ) (nC) 11 QGS (typ) (nC) 25 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 197 ID - package limited (A) 200 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
TO-263 (KTT) 2 153.416 mm² (10.16 mm × 15.1 mm)
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead-free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • D2PAK plastic package
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead-free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • D2PAK plastic package

This 100V, 2.8mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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This 100V, 2.8mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

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SLPM232.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice-Modell
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SLPM156A.ZIP (4 KB) - PSpice-Modell
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
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