Home Energiemanagement MOSFETs
Home
Energiemanagement
MOSFETs

CSD17483F4

AKTIV

30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz

Jetzt bestellen
Datenblatt

CSD17483F4

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 230 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 260 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 310 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.01 QGD (typ) (nC) 0.13 QGS (typ) (nC) 0.22 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.5 ID - package limited (A) 1.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 230 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 260 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 310 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.01 QGD (typ) (nC) 0.13 QGS (typ) (nC) 0.22 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.5 ID - package limited (A) 1.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² (1.035 mm × 0.635 mm)
  • Low on-resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case Size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case Size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 200-mΩ, 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

This 200-mΩ, 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
filter Andere MOSFETs suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

open-in-new Alternativen vergleichen
Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei gleicher Anschlussbelegung.
CSD17381F4 AKTIV 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz Lower resistance

Technische Dokumentation

Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 10
Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt CSD17483F4 30-V N-Channel FemtoFET MOSFET datasheet (Rev. F) PDF | HTML 07.09.2021
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Designleitfaden FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 07.07.2016
Anwendungshinweis Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16.11.2011

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Unterstützte Produkte und Hardware
Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD17483F4 TINA-TI Spice Model (Rev. A)

SLPM084A.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD17483F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM078B.ZIP (3 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Unterstützte Produkte und Hardware

Viele TI-Referenzdesigns beinhalten CSD17483F4

Mit unserem Referenzdesign-Auswahltool können Sie die für Ihre Anwendung und Ihre Parameter am besten geeigneten Designs durchsehen und ermitteln.
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos