This 20-V, 990-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. Ultra-low capacitance improves switching speeds. When used in data line applications, the low capacitance minimizes noise coupling. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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Dieses FemtoFET N-Kanal-Evaluierungsmodul (EVM) enthält sechs Tochterkarten, von denen jede Karte eine andere FemtoFET N-Kanal-Teilenummer enthält. Die Tochterkarten ermöglichen es dem Ingenieur, diese winzigen Bausteine einfach anzuschließen und zu testen. Die sieben FemtoFETs reichen von 12 V (...)
Das Referenzdesign TIDM-02010 ist ein Referenzdesign für zwei Motorantriebe mit 1,5 kW und PFC-Steuerung für Regler von Klimaanlagen im Freien mit variabler Frequenz in Heizungs-/Lüftung-/Klima-Anwendungen (HVAC). Es zeigt ein Verfahren zur Umsetzung einer sensorlosen dreiphasigen (...)
| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
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| PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
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