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CSD85312Q3E

AKTIV

20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Quellen-SON, 3 mm x 3, 14 mOhm

Produktdetails

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

TPS25831Q1EVM-062 — TPS25831-Q1 USB Type-C und BC1.2 synchroner Abwärtswandler mit Kabelkompensation und Strombegrenzung

Das brauchen Sie für den Einstieg: 
Schritt 1: Bestellen Sie die Hardware 
Schritt 2: Laden Sie das EVM-Benutzerhandbuch herunter 

Schritt 3: Laden Sie Design-Leitlinien und Anwendungshinweise herunter
Benutzerhandbuch: PDF
Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware

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Simulationsmodell

CSD85312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM095B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
Berechnungstool

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Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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