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CSD87312Q3E

AKTIV

30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 38 mOhm

Produktdetails

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Common Source Connection
  • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Common Source Connection
  • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Datum
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Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16 Nov 2011

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Simulationsmodell

CSD87312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM061B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
Berechnungstool

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

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