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LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
CSD23381F4
P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 175 mΩ, Gate-ESD-Schutz
Datenblatt
CSD23381F4
- Ultra-low on-resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- High operating drain current
- Ultra-small footprint (0402 case size)
- 1.0 mm × 0.6 mm
- Ultra-low profile
- Maximum height: 0.36 mm
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 150 mΩ, 12 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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Technische Dokumentation
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Referenzdesigns
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| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
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