ZHDA332 September   2026 DRA821U-Q1 , TDA4AEN-Q1 , TDA4AH-Q1 , TDA4AL-Q1 , TDA4AP-Q1 , TDA4APE-Q1 , TDA4VE-Q1 , TDA4VEN-Q1 , TDA4VH-Q1 , TDA4VL-Q1 , TDA4VP-Q1 , TDA4VPE-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 首字母缩写词及定义
  6. 3 USB 2.0 高速 TX 合规性：工作原理
    1. 3.1 USB 2.0 高速信号概述
    2. 3.2 xHCI 端口测试控制和合规性模式进入
    3. 3.3 眼图合规性
  7. 4 寄存器参考
    1. 4.1 xHCI PORTSC — 端口状态和控制寄存器
    2. 4.2 PORTPMSC 位字段说明（USB 2.0 — xHCI 规范）
    3. 4.3 合规性写入值解码：0x40000000
    4. 4.4 USB2 PHY TX 振幅寄存器 — USB2SS_PHY2_AFE_TX_REG1
  8. 5 合规性程序：TDA4VEN/J722S/TDA4AEN
    1. 5.1 硬件要求
    2. 5.2 软件要求
    3. 5.3 硬件设置
    4. 5.4 物理连接
    5. 5.5 USB0 的器件树源 (DTS) 修改
    6. 5.6 第 1 步：验证 EVM 引导和控制台
    7. 5.7 第 2 步：写入 xHCI 寄存器以使能 HS 测试数据包模式
    8. 5.8 第 3 步：在示波器上捕获 HS 测试数据包波形
  9. 6 USB-IF 电气分析工具：后处理程序
  10. 7 调整 HS TX 振幅
    1. 7.1 TX 振幅调整程序
  11. 8 合规性程序：J7200/J784S4/J721S2/J742S2
  12. 9 故障排查
  13. 10总结
  14. 11参考资料

9 故障排查

表 9-1 疑难解答指南
症状 可能的原因 纠正措施
寄存器写入后示波器无信号 寄存器写入未生效；选择了错误端口；DTS 中未使能 USB0 验证 DTS 已使能 USB0。检查是否没有 USB 设备连接到该端口。按顺序重新执行所有三次 devmem2 写入。
眼图削到夹内模板（振幅过低） 默认升压设置过低；信号路径中存在 USB 多路复用器或 Type-C IC 使用短 SMA 电缆。通过 0x0F908004 寄存器写入增加升压。
眼图超过外模板（振幅过高） 升压值设置过高； 通过寄存器写入降低升压值。
USB-IF 工具报告上升和下降时间故障 D+/D− 走线上寄生电容过大；电缆或连接器不连续 检查 SMA 电缆完整性。验证匹配的 SMA 电缆对。对示波器通道去偏斜。检查测试夹具连接。
上电后串行控制台无响应 选择了错误 COM 端口；波特率不匹配 对于 TDA4VEN，使用四个可用 COM 端口中的第三个。将波特率设置为 115200。
HSNE 测试失败但 HSFE 测试通过 信号路径中有固定电缆 确认没有固定电缆。选择 HSNE。如果存在固定电缆，选择 HSFE。