SEE 测试的目的是查明器件被单个粒子撞击时的反应，例如太空中的重离子或质子、地球上的中子，或是封装材料发出的 α 粒子。

SEE 测试通常在能产生高能重离子或质子的加速器设施中进行。被测器件 (DUT) 在其正常工作偏置和功能条件下加电并运行。测试期间，会持续监测电源电流和输出状态等关键参数。当 DUT 暴露于离子或质子束中时，任何电流或输出的瞬态变化都会被记录下来。

对于航天应用而言，重离子辐射下的性能是一个主要关注点。如果一个器件对低能重离子敏感，那么该器件很可能也对高能质子敏感。因此，航天认证项目通常采用重离子或质子束。出于研究目的，也可使用其他局部电荷注入源，例如脉冲激光器。

在重离子测试中，将 DUT 直接置于离子束中，并实时观察 DUT 运行状况。离子束由粒子加速器（例如回旋加速器或范德格拉夫起电机）产生。在轨道上，重离子可能具有足够能量穿透封装的 IC 以及任何存在的屏蔽层。然而，大多数测试设施只能提供足以穿透 40µm–400µm 硅的离子能量，这不足以穿过完全密封的封装。因此，必须打开封装露出裸片，同时保持器件功能正常。

露出裸片的典型方法包括：

• 喷射蚀刻或选择性化学蚀刻。
• 预减薄至接近可见层。
• 针对三维结构的混合方法（结合蚀刻与减薄）。
• 倒装芯片准备：裸片表面朝下，必须将芯片背面露出并减薄至足够薄，以便离子束能够到达器件正面的有源区。

每种技术都需要特定的专业知识；在某些情况下，某种方法并不适用，器件架构（例如采用 3D 堆叠）有时根本无法在保持功能的同时露出裸片。TESAT 报告称，迄今为止检查的候选器件中约有 10% 因这一原因被舍弃。下方图 4-1 展示了一个已开帽器件的示例。