数据表
TPS7H5020-SP
- 辐射性能：
- 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
- 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于 LET 的抗扰度 = 75MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬态 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
- 控制器级和驱动器级的输入电压范围均为 4.5V 至 14V
- 专用栅极驱动器电压输入引脚 (PVIN) 可驱动硅器件和 GaN 器件
- 1.2A 峰值拉电流和灌电流（12V 时）
- 为了驱动 GaN，可选择将 VLDO 线性稳压器输出连接到 PVIN
- 4.5V 至 5.5V 的可编程线性稳压器 (VLDO)
- 在温度、辐射以及线路和负载调节范围内提供 0.6V ±1% 的基准电压
- 开关频率范围为 100kHz 至 1MHz
- 外部时钟同步功能
- 可调斜率补偿和软启动
- 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
TPS7H502x 是一款具有耐辐射电流模式单端 PWM 控制器，配备集成的栅极驱动器，可用于基于硅和氮化镓 (GaN) 功率半导体的转换器设计。TPS7H502x 集成了多个关键功能，例如软启动、使能和可调斜率补偿，同时保持较小的封装尺寸。该控制器还具有 0.6V ± 1% 的电压基准容差，可支持高精度电源转换器设计。
TPS7H502x 可通过 SYNC 引脚使用外部时钟来运行，也可使用 RT 引脚以用户决定的频率对内部振荡器进行编程来运行。该器件的开关频率能够高达 1MHz。控制器的驱动器级具有 4.5V 至 14V 的宽输入电压范围，并支持高达 1.2A 的峰值拉电流和灌电流。可编程稳压器 VLDO 也可以直接连接到驱动器级的输入端 (PVIN)，以便为 GaN FET 的运行提供受控良好的栅极电压。可编程稳压器可接受 4.5V 至 5.5V 范围的电压。TPS7H5020 器件具有 100% 的最大占空比，而 TPS7H5021 具有 50% 的最大占空比。该控制器支持多种电源转换器拓扑，包括反激式、正激式和升压。
技术文档
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查看全部 5 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS7H502x-SP 和 TPS7H502x-SEP 耐辐射 1MHz 电流模式 PWM 控制器（带有集成的栅极驱动器） 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 最新英语版本 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025年 10月 27日 |
| * | 辐射与可靠性报告 | TPS7H5020-SP QMLP Total Ionizing Dose (TID) Report | 2025年 9月 3日 | |||
| * | 辐射与可靠性报告 | TPS7H5020-SEP and TPS7H5020-SP QMLP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization | 2025年 9月 2日 | |||
| * | 辐射与可靠性报告 | Single-Event Effects (SEE) Radiation Report of the TPS7H502X-SP | PDF | HTML | 2025年 8月 18日 | ||
| 选择指南 | TI Space Products (Rev. K) | 2025年 4月 4日 |
设计和开发
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评估板
TPS7H5020EVM — TPS7H5020-SP 评估模块
TPS7H5020EVM 演示了带有集成栅极驱动器和 GaN FET 的单个 TPS7H5020-SP 电流模式 PWM 控制器在升压配置中的工作情况。该电路板提供可用于组装额外元件和测试点的空间，可实现对定制配置和性能有效性的测试。
评估板
TPS7H5020FLYEVM — TPS7H5020-SEP 和 QMLP 反激式评估模块
TPS7H5020FLYEVM 演示了一个 TPS7H5020-SEP PWM 控制器的运行情况，该控制器驱动反激式转换器拓扑中的 GaN FET 开关元件。该 EVM 可以灵活地测试定制配置。提供了测试点和额外的元件空间，以便轻松进行器件配置和性能验证。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HTSSOP (PWP) | 24 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
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- 引脚镀层/焊球材料
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包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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