TPS7H6101-SEP
- 辐射性能：
- 通过了总电离剂量 (TID) 为 50krad(Si) 的辐射批次验收测试 (RLAT)
- 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子故障中断 (SEFI) 的特征值高达 (LET) = 43MeV-cm2/mg
- 200V e 模式 GaN FET 半桥
- 15mΩRDS(ON)（典型值）
- 100kHz 至 2MHz 运行
- LGA 封装：
- 带有散热焊盘的热优化 12mm × 9mm LGA 封装
- 集成式栅极驱动电阻器
- 低共源电感封装
- 电气隔离式高侧和低侧
- 适用于各种半桥和两种开关电源拓扑的灵活控制
- 低传播延迟
- 两种工作模式
- 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
- 两个独立输入
- 可编程的死区时间控制
- 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
- 5V 栅极驱动电源，可实现稳定的 FET 运行
TPS7H6101 是一款具有集成式栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥；集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并缩小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护，有助于为各种应用和实现提供支持。
技术文档
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查看全部 5 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS7H6101-SEP 200V、10A GaN 半桥功率级 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025年 5月 19日 |
| * | 辐射与可靠性报告 | TPS7H6101-SEP Preliminary Total Ionizing Dose (TID) Report | 2025年 5月 9日 | |||
| 证书 | TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025年 4月 16日 | ||||
| 选择指南 | TI Space Products (Rev. K) | 2025年 4月 4日 | ||||
| 电子书 | 电子产品辐射手册 (Rev. A) | 2019年 5月 21日 |
设计和开发
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评估板
TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 评估模块
TPS7H6101EVM 在 J13 上使用输入电压轨为 100V 的 PVIN 供电。默认情况下，器件运行 PWM 模式，只需进行极少的更改即可使用 IIM 模式。在 J8 上输入 0V 至 5V 波形， TPS7H6101-SP 将作为具有所选占空比和频率的降压转换器运行。TPS7H6101EVM 按照快速入门指南中提到的参数进行设置和测试。使用快速入门指南以外的输入时，请考虑电路板的热性能管理以及电感器的 18A 饱和电流。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| UNKNOWN (NPR) | 64 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。