主页 电源管理 功率级 氮化镓 (GaN) 功率级

TPS7H6101-SEP

正在供货

Radiation-tolerant, 200V 10A GaN power stage with integrated driver

产品详情

VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Catalog, Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Catalog, Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
UNKNOWN (NPR) 64 See data sheet LGA (NPR) 64 11664 mm² (108 mm × 108 mm)
  • 辐射性能:
    • 电离辐射总剂量 (TID) 特性(1)
      • 通过了总电离剂量 (TID) 为 50krad(Si) 的辐射批次验收测试 (RLAT)
    • 单粒子效应 (SEE) 特性(2)
      • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
      • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子故障中断 (SEFI) 的特征值高达 (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V 增强模式(e 模式)GaN FET 半桥
    • 15mΩRDS(ON)(典型值)
    • 高达 2MHz 的运行频率
  • LGA 封装:
    • 带有散热焊盘的热优化 12mm × 9mm LGA 封装
    • 集成式栅极驱动电阻器
    • 低共源电感封装
    • 电气隔离式高侧和低侧
  • 适用于各种半桥和两种开关电源拓扑的灵活控制
    • 低传播延迟
    • 两种工作模式
      • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
      • 两个独立输入
    • 可编程的死区时间控制
    • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
    • 5V 栅极驱动电源,可实现稳定的 FET 运行
  • 辐射性能:
    • 电离辐射总剂量 (TID) 特性(1)
      • 通过了总电离剂量 (TID) 为 50krad(Si) 的辐射批次验收测试 (RLAT)
    • 单粒子效应 (SEE) 特性(2)
      • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
      • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子故障中断 (SEFI) 的特征值高达 (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V 增强模式(e 模式)GaN FET 半桥
    • 15mΩRDS(ON)(典型值)
    • 高达 2MHz 的运行频率
  • LGA 封装:
    • 带有散热焊盘的热优化 12mm × 9mm LGA 封装
    • 集成式栅极驱动电阻器
    • 低共源电感封装
    • 电气隔离式高侧和低侧
  • 适用于各种半桥和两种开关电源拓扑的灵活控制
    • 低传播延迟
    • 两种工作模式
      • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
      • 两个独立输入
    • 可编程的死区时间控制
    • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
    • 5V 栅极驱动电源,可实现稳定的 FET 运行

TPS7H6101 是一款集成了栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥。集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并减小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护,有助于为各种应用和实现提供支持。

TPS7H6101 是一款集成了栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥。集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并减小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护,有助于为各种应用和实现提供支持。

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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 评估模块

TPS7H6101EVM 在 J13 上使用输入电压轨为 100V 的 PVIN 供电。默认情况下,器件运行 PWM 模式,只需进行极少的更改即可使用 IIM 模式。在 J8 上输入 0V 至 5V 波形, TPS7H6101-SP 将作为具有所选占空比和频率的降压转换器运行。TPS7H6101EVM 按照快速入门指南中提到的参数进行设置和测试。使用快速入门指南以外的输入时,请考虑电路板的热性能管理以及电感器的 18A 饱和电流。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

TPS7H6101-SP PSpice Transient Model

SNOM820.ZIP (66 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
UNKNOWN (NPR) 64 Ultra Librarian
LGA (NPR) 64 Ultra Librarian

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