ZHDA166 June   2026 ISOW1050 , ISOW3080 , ISOW6441

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2通过电路板设计技术增强 EMC 性能
    1. 2.1  引脚 1 和引脚 16 上的高频去耦电容器
    2. 2.2  电容器组及相对布局
    3. 2.3  电源轨上的铁氧体磁珠 π 型滤波器
    4. 2.4  铁氧体磁珠下方的隔离铜岛 (KOZ)
    5. 2.5  CAN/RS-485 电缆上的共模扼流圈（ISOW3080 和 ISOW1050 器件）
    6. 2.6  隔离岛后侧电容器
    7. 2.7  I/O 走线上的串联电阻器或低通滤波器
    8. 2.8  GND1 与 GND2 之间的 Y 型电容器（安全关键型）
    9. 2.9  层间电容器（隔离区域中的基板电容器）
    10. 2.10 VDD 输入轨上的 100µF 大容量电容器
  6. 3总结
  7. 4参考资料

2.3 电源轨上的铁氧体磁珠 π 型滤波器

如果不滤除开关噪声，该噪声将直接传入 VDD 电源平面和 PCB 接地平面。这会导致输入端出现传导发射，而接地平面中的噪声则会导致辐射发射。铁氧体磁珠 π 型滤波器会阻断所有高于截止频率的噪声，阻止基频及其所有谐波频率到达主板铜平面。使用铁氧体磁珠 (FB)（例如，BLM18HE152SH1D，请参阅参考资料）对于最大限度减少共模电流环路引起的辐射发射至关重要。铁氧体磁珠可插入 DUT DC-DC 转换器与系统其余部分之间（布局如图 2-1 所示），从而切断较大共模电流环路的路径，仅允许形成较短的电流环路。截止频率的计算公式如下：

方程式 1. Fc=1 ÷ 2π × √L ×C_eff

每条电源轨使用两个铁氧体磁珠（一个在电源线上，一个在回路或 GND 上），有助于实现平衡差分滤波，如图 2-1 所示。（L6、L7 接 VDD，L8、L9 接 VISO）。