ZHDA166 June   2026 ISOW1050 , ISOW3080 , ISOW6441

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2通过电路板设计技术增强 EMC 性能
    1. 2.1  引脚 1 和引脚 16 上的高频去耦电容器
    2. 2.2  电容器组及相对布局
    3. 2.3  电源轨上的铁氧体磁珠 π 型滤波器
    4. 2.4  铁氧体磁珠下方的隔离铜岛 (KOZ)
    5. 2.5  CAN/RS-485 电缆上的共模扼流圈（ISOW3080 和 ISOW1050 器件）
    6. 2.6  隔离岛后侧电容器
    7. 2.7  I/O 走线上的串联电阻器或低通滤波器
    8. 2.8  GND1 与 GND2 之间的 Y 型电容器（安全关键型）
    9. 2.9  层间电容器（隔离区域中的基板电容器）
    10. 2.10 VDD 输入轨上的 100µF 大容量电容器
  6. 3总结
  7. 4参考资料

2.10 VDD 输入轨上的 100µF 大容量电容器

ISOW DC-DC 转换器从 VDD 轨汲取脉冲电流。如果没有足够的大容量电容，汲取的电流会在 VDD 上产生电压纹波，该纹波会向上游传播至共用同一电源轨的其他电路。这会导致传导发射，即测量到的输入端电压扰动。在 VDD 电源入口处（铁氧体磁珠 π 型滤波器之前）放置一颗 100µF 电容器（例如 T491X107K010AT，见参考资料），可最大限度减少低频干扰。该电容充当本地电荷储存器，在板上提供脉冲电流，从而阻止干扰向上游传播。

建议尽量避免让敏感的模拟电路（ADC、运算放大器或 PLL）共用 VDD 电源轨。即使具有 100µF 电容，残余的开关纹波仍可能降低模拟性能。TI 还建议为每个敏感电路使用独立的 LDO（低压降稳压器）或铁氧体磁珠加电容滤波器。