ZHDA166 June   2026 ISOW1050 , ISOW3080 , ISOW6441

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2通过电路板设计技术增强 EMC 性能
    1. 2.1  引脚 1 和引脚 16 上的高频去耦电容器
    2. 2.2  电容器组及相对布局
    3. 2.3  电源轨上的铁氧体磁珠 π 型滤波器
    4. 2.4  铁氧体磁珠下方的隔离铜岛 (KOZ)
    5. 2.5  CAN/RS-485 电缆上的共模扼流圈(ISOW3080 和 ISOW1050 器件)
    6. 2.6  隔离岛后侧电容器
    7. 2.7  I/O 走线上的串联电阻器或低通滤波器
    8. 2.8  GND1 与 GND2 之间的 Y 型电容器(安全关键型)
    9. 2.9  层间电容器(隔离区域中的基板电容器)
    10. 2.10 VDD 输入轨上的 100µF 大容量电容器
  6. 3总结
  7. 4参考资料

引脚 1 和引脚 16 上的高频去耦电容器

集成 DC-DC 转换器的开关频率约为 60MHz。该频率 (60MHz) 及其所有谐波频率会同时出现在辐射发射和传导发射频谱中。在 VDD(引脚 1)和 VISO(引脚 16)处直接放置一颗 100nF X7R 陶瓷电容器,可在基频处提供低阻抗分流路径。电容器必须对称放置于两侧的电源引脚与接地引脚之间,使器件电源引脚到电容端子的有效电感等于器件接地引脚到电容端子的有效电感。(请参阅 ISOW1050DWEEVM 评估模块中的 C27 和 C28 布局)。

ISOW6441 ISOW3080 ISOW1050 针对上述技术的 ISOW1050DWEEVM 评估模块参考原理图图 2-1 针对上述技术的 ISOW1050DWEEVM 评估模块参考原理图

使用反向几何结构电容(例如 0306YD104KAT2A,见参考资料)或 10nF 电容(例如 GCM155L81E103KA37D,见参考资料),可进一步提升 EMC 性能,这类电容具有更高的串联谐振频率 (SRF) 和更低的等效串联电阻及等效串联电感 (ESL/ESR)。