ZHDA166 June   2026 ISOW1050 , ISOW3080 , ISOW6441

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2通过电路板设计技术增强 EMC 性能
    1. 2.1  引脚 1 和引脚 16 上的高频去耦电容器
    2. 2.2  电容器组及相对布局
    3. 2.3  电源轨上的铁氧体磁珠 π 型滤波器
    4. 2.4  铁氧体磁珠下方的隔离铜岛 (KOZ)
    5. 2.5  CAN/RS-485 电缆上的共模扼流圈(ISOW3080 和 ISOW1050 器件)
    6. 2.6  隔离岛后侧电容器
    7. 2.7  I/O 走线上的串联电阻器或低通滤波器
    8. 2.8  GND1 与 GND2 之间的 Y 型电容器(安全关键型)
    9. 2.9  层间电容器(隔离区域中的基板电容器)
    10. 2.10 VDD 输入轨上的 100µF 大容量电容器
  6. 3总结
  7. 4参考资料

电容器组及相对布局

适当的电容器堆叠可在宽频带内保持低阻抗:

  • 60MHz(开关基频):由 100nF 电容负责处理
  • 1–30MHz(谐波与共模):由 1µF 电容提供阻抗基底
  • < 1MHz(低频瞬变):由 10µF 电容吸收负载阶跃电流

正确顺序为:从容值最小到最大,距离被测器件 (DUT) 最近到最远:

请参考图 2-1 中电容组 [(C27、C25、C22)和(C28、C29、C30)] 的布局。顺序至关重要,因为电容与 IC 之间每增加 1mm PCB 走线,就会增加约 1nH 串联电感。如果将大容量的 10µF 电容器放置在离 IC 最近的位置,而将小容量的 100nF 电容器放置在离 IC 最远的位置,则会颠倒阻抗曲线,导致高频噪声分流效果不佳。对于要求更低电源纹波的应用场景,将大容量电容器从标准的 10µF 增大到 22µF 或 47µF 有助于改善电源纹波。