ZHDA166 June   2026 ISOW1050 , ISOW3080 , ISOW6441

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2通过电路板设计技术增强 EMC 性能
    1. 2.1  引脚 1 和引脚 16 上的高频去耦电容器
    2. 2.2  电容器组及相对布局
    3. 2.3  电源轨上的铁氧体磁珠 π 型滤波器
    4. 2.4  铁氧体磁珠下方的隔离铜岛 (KOZ)
    5. 2.5  CAN/RS-485 电缆上的共模扼流圈（ISOW3080 和 ISOW1050 器件）
    6. 2.6  隔离岛后侧电容器
    7. 2.7  I/O 走线上的串联电阻器或低通滤波器
    8. 2.8  GND1 与 GND2 之间的 Y 型电容器（安全关键型）
    9. 2.9  层间电容器（隔离区域中的基板电容器）
    10. 2.10 VDD 输入轨上的 100µF 大容量电容器
  6. 3总结
  7. 4参考资料

3 总结

本应用手册提供了一整套技术，旨在最大限度降低辐射发射和传导发射，同时提升对外部电磁干扰的抗扰度。这些技术包括去耦电容器、铁氧体磁珠 π 型滤波器、隔离铜岛、共模扼流圈和 Y 型电容器的战略布局。这些技术凸显了 PCB 布局的重要性，并以 ISOW6441DWEEVM、ISOW3080DWEEVM 和 ISOW1050DWEEVM 评估模块的设计作为参考示例。这些技术可应用于任何带隔离器的设计，以实现更优的 EMC 性能。表 3-1 汇总了使用本应用手册所述技术在 ISOW64xx 器件上实现的 EMC 性能。

有关该系列器件 EMC 性能的更多详细信息，请参阅 EMC 合规性报告：采用集成电源的隔离器的 CISPR/IEC 测试结果应用手册。

表 3-1 ISOW64xx 的 EMC 结果
测试类型 标准 参数 等级 | 类别 结果
辐射发射 CISPR 32 工业辐射发射 B 类 通过
CISPR 25 汽车辐射发射 5 级 通过
辐射抗扰度 IEC 61000-4-3 工业辐射抗扰度 20V/m 通过
ISO11452-2 汽车辐射抗扰度 100V/m 通过
传导抗扰度 IEC 61000-4-6 传导抗扰度 15Vrms 通过
传导发射 CISPR 32 传导发射 B 类 通过
抗磁干扰 IEC 61000-4-8 磁场 100A/m（5 级） 通过
ESD AEC Q100-002 HBM ESD 2kV 通过
AEC Q100-011 CDM ESD 1.5kV 通过
IEC 62368-1 浪涌隔离 10.4kV 通过
CMTI VDE 0884-17 共模瞬态抗扰度 100kV/µs（最小值）；200kV/µs（典型值） 通过