ZHDA166 June   2026 ISOW1050 , ISOW3080 , ISOW6441

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2通过电路板设计技术增强 EMC 性能
    1. 2.1  引脚 1 和引脚 16 上的高频去耦电容器
    2. 2.2  电容器组及相对布局
    3. 2.3  电源轨上的铁氧体磁珠 π 型滤波器
    4. 2.4  铁氧体磁珠下方的隔离铜岛 (KOZ)
    5. 2.5  CAN/RS-485 电缆上的共模扼流圈（ISOW3080 和 ISOW1050 器件）
    6. 2.6  隔离岛后侧电容器
    7. 2.7  I/O 走线上的串联电阻器或低通滤波器
    8. 2.8  GND1 与 GND2 之间的 Y 型电容器（安全关键型）
    9. 2.9  层间电容器（隔离区域中的基板电容器）
    10. 2.10 VDD 输入轨上的 100µF 大容量电容器
  6. 3总结
  7. 4参考资料

1 简介

为在首次设计迭代中获得更佳 EMC 性能，避免代价高昂的电路板重新投板，本应用手册介绍了多种经过验证的系统级技术，可降低辐射发射和传导发射，同时提升抗扰度裕量。

这些技术参考了 ISOW6441DWEEVM、ISOW3080DWEEVM 和 ISOW1050DWEEVM 等 EVM，适用于 ISOW6441、ISOW3080 和 ISOW1050 系列器件。其中一些技术解决了开关噪声的根本原因，必须在每种设计中都予以实施；而另一些技术则非必需，可进一步优化性能。这些技术可用于任何带隔离器的设计，以提升 EMC 性能。

  • 引脚 1 和引脚 16 上的高频去耦电容器
  • 电容器组及相对布局
  • 电源轨上的铁氧体磁珠 π 型滤波器
  • 铁氧体磁珠下方的隔离铜岛 (KOZ)
  • 通信总线上的共模扼流圈（例如 CAN/RS-485）
  • 隔离岛后侧电容器
  • I/O 走线上的串联电阻器或低通滤波器
  • GND1 与 GND2 之间的 Y 型电容器（安全关键型）
  • 层间电容器（隔离区域中的基板电容器）
  • VDD 输入轨上的 100µF 大容量电容器