ZHCUD60 July 2025
LMG3651R025 GaN 场效应晶体管 (FET) 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。可调栅极驱动器强度允许独立地控制导通和最大关断压摆率,这可用于主动控制电磁干扰 (EMI) 并优化开关性能。导通压摆率可以在 10V/ns 至 100V/ns 内变化,而关断压摆率可以根据负载电流的大小限制为 10V/ns 至最大值。保护特性包括欠压锁定 (UVLO) 逐周期过流限制、短路和过热保护。LMG3651R025 在 LDO5V 引脚上提供 5V 低压降 (LDO) 输出,可用于为外部数字隔离器供电。