ZHCUC64B August   2024  – May 2025 DRV8162 , INA241A , ISOM8710

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 参考设计概述
    2. 1.2 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 硬件设计
        1. 2.2.1.1 功率级栅极驱动器
          1. 2.2.1.1.1 栅极驱动器
          2. 2.2.1.1.2 保护特性
          3. 2.2.1.1.3 VGVDD 定义
          4. 2.2.1.1.4 配置 (Strap) 功能
        2. 2.2.1.2 功率级 FET
          1. 2.2.1.2.1 VGS 与 RDS(ON) 间的关系
        3. 2.2.1.3 相电流和电压检测
          1. 2.2.1.3.1 A 相和 B 相电流检测
          2. 2.2.1.3.2 C 相电流检测
          3. 2.2.1.3.3 电压感测
        4. 2.2.1.4 主机处理器接口
        5. 2.2.1.5 栅极驱动器关断路径
        6. 2.2.1.6 系统诊断测量
          1. 2.2.1.6.1 温度测量
        7. 2.2.1.7 系统电源
          1. 2.2.1.7.1 12V 电源轨
          2. 2.2.1.7.2 3.3V 电源轨
      2. 2.2.2 软件设计
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 DRV8162L
      2. 2.3.2 INA241A
      3. 2.3.3 AMC0106M05
      4. 2.3.4 TPSM861253
      5. 2.3.5 LMR38010
      6. 2.3.6 TMP6131
      7. 2.3.7 ISOM8710
  9. 3硬件、软件测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
      1. 3.1.1 PCB 概述
      2. 3.1.2 硬件配置
        1. 3.1.2.1 先决条件
        2. 3.1.2.2 默认电阻器和跳线配置
        3. 3.1.2.3 连接器
          1. 3.1.2.3.1 主机处理器接口
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
      1. 3.3.1 电源管理
        1. 3.3.1.1 上电
        2. 3.3.1.2 断电
      2. 3.3.2 栅极电压和相电压
        1. 3.3.2.1 20VDC
        2. 3.3.2.2 48VDC
        3. 3.3.2.3 60VDC
      3. 3.3.3 数字 PWM 和栅极电压
      4. 3.3.4 相电流测量
      5. 3.3.5 系统测试结果
        1. 3.3.5.1 热分析
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5关于作者
  12. 6修订历史记录
2.2.1.2.1 VGS 与 RDS(ON) 间的关系

VGVDD 和 VGVDD_SL 电压可以定义导通状态 VGS，即 FET 在应用中的实际高电平栅极电压。

该值可用于确定 FET 在给定电压下的 RDS(ON)。定义 DRV8162L 的过流跳变电平时需要 RDS(ON)。

综合这些考虑因素，对所选 FET 进行了计算，结果如 表 2-1 所示。此设计采用两个并联 FET 来实现低 RDS(ON) 并支持高电流输出。该计算是利用欧姆定律完成的。

表 2-1 与 NTMTSC1D6N10 VDS 相关的 DRV8162L 过流跳变电平
参数 NTMTSC1D6N10 2 × NTMTSC1D6N10
ID 267A 534A
IDM 900A 1800A
QG 106nC 212nC
结温 25°C 125°C 25°C 125°C
RDS(ON)

VGS = 10V 时

 1.42mΩ 2.50mΩ 0.71mΩ 0.88mΩ
TRIP

LEVEL1-0：0.15V

106A

60A

 211A

120A

TRIP LEVEL1-1：0.2V

141A

80A

282A

160A

使用快速开关 FET 时，每个半桥都可能需要 RC 缓冲器网络来抑制电路振铃。尽管测试用例不需要该缓冲电路，但该设计为每个半桥保留一个 RC 缓冲电路作为测试和调试选项。