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Rating Automotive Architecture Gate driver Vs (min) (V) 8 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive Architecture Gate driver Vs (min) (V) 8 Operating temperature range (°C) -40 to 125
VSSOP (DGS) 20 24.99 mm² 5.1 x 4.9
  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
    • 高侧 MOSFET 源极/漏极电压高达 102V(绝对最大值)
    • 8V (5V DRV8162L) 至 20V 栅极驱动电源
    • 集成式自举二极管
  • 16 电平栅极驱动峰值电流
    • 16mA - 1000mA 拉电流
    • 32mA - 2000mA 灌电流
    • 拉电流/灌电流比 1:1、1:2、1:3
  • 可调 PWM 死区时间插入 20ns - 400ns
  • 电机相位 (SH) 开关的可靠设计
    • 压摆率 20V/ns
    • 负瞬态电压 -20V
    • 2A 强栅极下拉
  • 双路栅极驱动电源输入可实现冗余关断(DRV8162、DRV8162L)
  • 低失调电流检测放大器 (DRV8161)
    • 可调增益(5、10、20、40V/V)
  • 灵活的 PWM 控制接口;2 引脚 PWM、 和独立 PWM 模式
  • 13 电平 VDS 过流阈值
  • 独立关断引脚 (nDRVOFF)
  • 栅极驱动器软关断序列
  • 集成保护特性
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
    • 自举欠压 (BST_UV)
    • MOSFET 过流保护 (VDS)
    • 击穿保护
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
    • 高侧 MOSFET 源极/漏极电压高达 102V(绝对最大值)
    • 8V (5V DRV8162L) 至 20V 栅极驱动电源
    • 集成式自举二极管
  • 16 电平栅极驱动峰值电流
    • 16mA - 1000mA 拉电流
    • 32mA - 2000mA 灌电流
    • 拉电流/灌电流比 1:1、1:2、1:3
  • 可调 PWM 死区时间插入 20ns - 400ns
  • 电机相位 (SH) 开关的可靠设计
    • 压摆率 20V/ns
    • 负瞬态电压 -20V
    • 2A 强栅极下拉
  • 双路栅极驱动电源输入可实现冗余关断(DRV8162、DRV8162L)
  • 低失调电流检测放大器 (DRV8161)
    • 可调增益(5、10、20、40V/V)
  • 灵活的 PWM 控制接口;2 引脚 PWM、 和独立 PWM 模式
  • 13 电平 VDS 过流阈值
  • 独立关断引脚 (nDRVOFF)
  • 栅极驱动器软关断序列
  • 集成保护特性
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
    • 自举欠压 (BST_UV)
    • MOSFET 过流保护 (VDS)
    • 击穿保护
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入

DRV816x 器件是半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。栅极驱动电压由 GVDD 电源引脚生成,集成自举电路用于驱动漏极电压高达 102V 的高侧 FET。智能栅极驱动架构支持高达 1A 拉电流和 2A 灌电流的 16 电平(48 种组合)栅极驱动峰值电流,以及内置的栅极驱动电流时序控制。这些器件可用于驱动各种类型的负载,包括无刷/有刷直流电机、PMSM、步进电机、SRM 和电磁阀。

内部保护功能可用于电源欠压、FET 过流和芯片过热等情况。nFAULT 引脚指示保护功能检测到的故障事件。nDRVOFF 引脚可以不依赖于 PWM 控制来启动功率级关断。DRV8162 和 DRV8162L 器件提供双电源架构,有助于实现安全转矩关闭 (STO) 功能。

许多器件参数(包括栅极驱动电流、死区时间、PWM 控制接口和过流检测)都可以通过一些连接到器件引脚的无源器件进行配置。集成的低侧电流检测放大器 (DRV8161) 可将电流测量信息返回至控制器。

DRV816x 器件是半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。栅极驱动电压由 GVDD 电源引脚生成,集成自举电路用于驱动漏极电压高达 102V 的高侧 FET。智能栅极驱动架构支持高达 1A 拉电流和 2A 灌电流的 16 电平(48 种组合)栅极驱动峰值电流,以及内置的栅极驱动电流时序控制。这些器件可用于驱动各种类型的负载,包括无刷/有刷直流电机、PMSM、步进电机、SRM 和电磁阀。

内部保护功能可用于电源欠压、FET 过流和芯片过热等情况。nFAULT 引脚指示保护功能检测到的故障事件。nDRVOFF 引脚可以不依赖于 PWM 控制来启动功率级关断。DRV8162 和 DRV8162L 器件提供双电源架构,有助于实现安全转矩关闭 (STO) 功能。

许多器件参数(包括栅极驱动电流、死区时间、PWM 控制接口和过流检测)都可以通过一些连接到器件引脚的无源器件进行配置。集成的低侧电流检测放大器 (DRV8161) 可将电流测量信息返回至控制器。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
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白皮书 软件定义车辆加速推进汽车电子技术的未来发展 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 10月 31日
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设计指南 适用于集成式电机驱动器的 48V、3.5kW 小型三相逆变器参考 设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 8月 5日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DRV8161EVM — DRV8161 评估模块

DRV8161 评估模块 (EVM) 是一款使用 DRV8161 栅极驱动器来旋转 BLDC 电机的 30A 三相无刷直流驱动级。该 EVM 可快速评估 DRV8161 器件,该器件通过梯形换向和控制来旋转 BLDC 电机。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
参考设计

TIDA-010956 — 适用于集成电机驱动器的 48V、4kW 小型三相逆变器参考设计

此参考设计展示了一款三相逆变器,其具有 48V 标称直流输入电压和 85ARMS 额定输出电流。100V 智能半桥栅极驱动器 DRV8162L 可实现小尺寸、稳健且高效的功率级。建议通过使用 RV8162L 的双电源架构的多通道关断路径,来实现安全转矩关闭 (STO) 功能。借助 DRV8162L 的内部 VDS 监测和保护功能,可为功率级提供击穿过流故障或输出短路保护。使用 INA241A,实现精密相电流检测。该设计提供一个 3.3V I/O 接口来连接 C2000™ MCU 等主机控制器,以便快速轻松地进行评估。
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-01629 — 适用于伺服驱动器,并采用智能栅极驱动参考设计的 48V/500W 三相逆变器

对于最高可驱动 60VDC 的紧凑型直流供电驱动器而言,效率、保护和集成度均为重要的设计因素。此参考设计展示了一款三相逆变器,其具有 48V 标称直流输入电压和 10ARMS 输出电流。带有集成降压转换器的 100V 智能三相栅极驱动器 DRV8350R 和带有六个超低栅极电荷的 100V NexFET™ 功率 MOSFET 可实现高效的功率级。通过 DRV8350R 的内部保护特性,可为功率级在电机端子之间及电机端子与地面之间提供过热、过流和短路保护。使用 INA240,实现精密相电流检测。所配接口为 3.3V I/O,用于连接 C2000™ MCU 之类的主机 (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSSOP (DGS) 20 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频