ZHCSY93B April   2025  – November 2025 UCC34141-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 绝缘规格
    6. 6.6 电气特性
    7. 6.7 安全相关认证
    8. 6.8 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 功率级运行
        1. 7.3.1.1 VDD-COM 电压调节
        2. 7.3.1.2 COM-VEE 电压调节
        3. 7.3.1.3 COM-VEE 输出能力
      2. 7.3.2 输出电压软启动
      3. 7.3.3 ENA 和电源正常
      4. 7.3.4 保护功能
        1. 7.3.4.1 输入欠压锁定
        2. 7.3.4.2 输入过压锁定
        3. 7.3.4.3 输出欠压保护
        4. 7.3.4.4 输出过压保护
        5. 7.3.4.5 过热保护
        6. 7.3.4.6 BSW 引脚故障保护
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VDD-COM 电压调节
        2. 8.2.2.2 COM-VEE 电压调节和单路输出配置
    3. 8.3 系统示例
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

引脚配置和功能


UCC34141-Q1 DHA 封装,16 引脚 SSOP(俯视图)

图 5-1 DHA 封装,16 引脚 SSOP(俯视图)
表 5-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
ENA 1

I

使能引脚。强制 ENA 为低电平会禁用器件。上拉至高电平以启用正常的器件功能。建议最大值为 5.5V。可用于通过来自 VIN 的电阻分压器对输入 UVLO 进行编程。
PG(PG) 2 O

电源正常开漏输出引脚。当 VVIN_UVLOP ≤ VVIN ≤ VVIN_OVLOP、VVDD_UVP ≤ VFBVDD ≤ VVDD_OVP、VVEE_UVP ≤ VFBVEE ≤ VVEE_OVP、TJ_Primary ≤ TSHUT_P_R 以及 TJ_secondary ≤ TSHUT_S_R 时,保持有效状态。连接一个 0402 封装尺寸的去耦电容器以旁路高频噪声。它必须位于电源正常引脚旁边,且与 IC 位于 PCB 的同一侧。

VIN 3、4 P

初级输入电压。在 VIN 到 GNDP 之间连接一个 10μF 和一个并联 0.1µF 陶瓷电容器。0402 封装的 0.1µF 陶瓷电容器用于旁路高频噪声,必须和 IC 一样置于 PCB 同一侧的 VIN 和 GNDP 引脚旁。

GNDP 5、6、7、8 G VIN 的初级侧接地连接。在覆铜上放置几个过孔以进行散热。

有关更多详细信息,请参阅“布局”部分

COMA 9 G

用于噪声敏感模拟反馈输入、FBVDD 和 FBVEE 的次级侧模拟检测基准连接。将低侧 FBVDD 反馈电阻和高频去耦滤波电容连接到靠近 COMA 引脚和各自的反馈引脚 FBVDD。连接到次级侧栅极驱动电压基准 COM。使用单点连接并将高频去耦陶瓷电容器靠近 COMA 引脚放置。

COM

10、11 G 次级接地。连接到电源开关的源极。
VDD 12 P 来自变压器的次级侧隔离式输出电压。在 VDD 到 COM 之间连接一个 10μF 和一个并联 0.1µF 陶瓷电容器。0402 封装的 0.1μF 陶瓷电容器用于旁路高频噪声,必须靠近 VDD 和 COM 引脚。
BSW 13 P 内部降压/升压转换器开关管脚。在该引脚与 COM 之间连接一个电感器。建议使用 3.3µH 至 10µH 片式电感器。
VEE 14 P 负电源轨的次级侧隔离式输出电压。在 VEE 和 COM 之间连接一个 2.2µF 陶瓷电容,以绕过高频开关噪声。
FBVDD 15 I 反馈 (VDD – COM) 输出电压检测引脚用于调整输出 (VDD – COM) 电压。在 VDD 至 COMA 之间连接一个电阻分压器,以使中点连接到 FBVDD。通过跨隔离的内部迟滞控制,将等效 FBVDD 电压调节为 2.5V。需要添加一个 220pF 陶瓷电容器,与低侧反馈电阻器并联实现高频去耦。用于高频旁路的 220pF 陶瓷电容器必须紧挨着顶层或底层(两层通过过孔连接)的 FBVDD 和 COMA 引脚。
FBVEE 16 I 反馈 (COM – VEE) 输出电压检测引脚用于调整输出 (COM – VEE) 电压。将一个反馈电阻器连接至 VEE 以在 2V 到 8V 之间对 (COM – VEE) 电压进行编程。在 FBVEE 和 COMA 之间连接一个 10pF 陶瓷电容,以绕过高频开关噪声。10pF 陶瓷电容器必须紧挨着顶层或背层(两层通过过孔连接)的 FBVEE 引脚。
P = 电源,G = 地,I = 输入,O = 输出