ZHCSW30 April 2024 BQ25770G
PRODUCTION DATA
该器件采用窄 VDC 架构 (NVDC),BATFET 可将系统与电池分离。最小系统电压由 VSYS_MIN() 设置。即使电池电量耗尽,系统也会被调节到 VSYS_MIN() 设置。为了防止来自输入侧的浪涌电流,当有一个升压新值写入 VSYS_MIN() 时,该器件可以根据 EN_VSYS_MIN_SOFT_SR 位的相应配置来支持 6.25mV/us、3.125mV/us 和 1.5625mV/us 的软正压摆率 DAC 转换。软压摆率功能在降压方向上无效。默认情况下,EN_VSYS_MIN_SOFT_SR=0b,在升压和降压方向都没有软转换控制。
当电池电压低于最小系统电压设置时,BATFET 以线性模式(LDO 模式)运行,并且系统调节至 VSYS_MIN 寄存器值。当电池电压上升到最低系统电压以上时,BATFET 完全导通。在充电或补电模式下,系统和电池之间的电压差值为 BATFET 的 VDS。BATFET 关断(无充电或无补电电流)时,系统电压调节为比电池电压高 150mV。