ZHCSW30 April   2024 BQ25770G

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 - BQ25770G
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电序列
      2. 7.3.2  MODE 引脚检测
      3. 7.3.3  REGN 稳压器 (REGN LDO)
      4. 7.3.4  独立比较器功能
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 充电安全计时器
      6. 7.3.6  温度调节 (TREG)
      7. 7.3.7  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      8. 7.3.8  两级电池放电电流限制
      9. 7.3.9  快速角色交换功能
      10. 7.3.10 CHRG_OK 指示器
      11. 7.3.11 输入电流和充电电流检测
      12. 7.3.12 输入电流和电压限制设置
      13. 7.3.13 电池电芯配置
      14. 7.3.14 器件高阻态状态
      15. 7.3.15 USB On-The-Go (OTG)
      16. 7.3.16 准双相位转换器运行模式
      17. 7.3.17 连续导通模式 (CCM)
      18. 7.3.18 脉冲频率调制 (PFM)
      19. 7.3.19 开关频率和抖动功能
      20. 7.3.20 电流和功率监控器
        1. 7.3.20.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      21. 7.3.21 输入源动态电源管理
      22. 7.3.22 用于监测的集成 16 位 ADC
      23. 7.3.23 输入电流优化器 (ICO)
      24. 7.3.24 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      25. 7.3.25 处理器热量指示
        1. 7.3.25.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 7.3.25.2 PROCHOT 状态
      26. 7.3.26 器件保护
        1. 7.3.26.1  看门狗计时器 (WD)
        2. 7.3.26.2  输入过压保护 (ACOV)
        3. 7.3.26.3  输入过流保护 (ACOC)
        4. 7.3.26.4  系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 7.3.26.5  电池过压保护 (BATOVP)
        6. 7.3.26.6  电池充电过流保护 (BATCOC)
        7. 7.3.26.7  电池放电过流保护 (BATDOC)
        8. 7.3.26.8  LDO 调节模式下的 BATFET 充电电流钳位保护
        9. 7.3.26.9  VBUS 和 ACP_A 之间的睡眠比较器保护 (SC_VBUSACP)
        10. 7.3.26.10 高占空比降压模式退出比较器保护 (HDBCP)
        11. 7.3.26.11 REGN 电源正常保护 (REGN_PG)
        12. 7.3.26.12 系统欠压锁定 (VSYS_UVP) 和断续模式
        13. 7.3.26.13 OTG 模式过压保护 (OTG_OVP)
        14. 7.3.26.14 OTG 模式欠压保护 (OTG_UVP)
        15. 7.3.26.15 热关断 (TSHUT)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正向模式
        1. 7.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 7.4.1.2 电池充电
      2. 7.4.2 USB On-The-Go 模式
      3. 7.4.3 直通模式 (PTM) 专利技术
      4. 7.4.4 学习模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SMBus 接口
        1. 7.5.1.1 SMBus 写入字和读取字协议
        2. 7.5.1.2 时序图
    6. 7.6 BQ25770G 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入电容器
        4. 8.2.2.4 输出电容器
        5. 8.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 布局示例参考顶视图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

8.2.2.3 输入电容器

输入电容器应具有足够的纹波电流等级以吸收输入开关纹波电流。在降压模式下，当占空比为 0.5 时，最坏情况下的 RMS 纹波电流是充电电流的一半（加上有任何系统负载时的系统电流）。如果转换器不以 50% 的占空比运行，则最坏情况下的电容器 RMS 电流发生在占空比最接近 50% 的位置，可通过方程式 5 估算得出：

方程式 5. BQ25770G

X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容是输入去耦电容的首选，应放置在 RAC 电流检测的前面，并尽可能靠近功率级半桥 MOSFET。功率级半桥之前 RAC 后的电容应限制为 10μF+10nF+1nF，请参阅图 8-2 中的示意图。电容器的额定电压必须高于正常输入电压电平，28V 输入电压下最好使用额定电压为 35V 或更高的电容器。建议在 28V/140W 适配器设计中最少使用 10 个 10µF 0603 尺寸电容器。在 36V 输入电压下，最好使用额定电压为 50V 或更高的电容器。当功率达到 36V/180W 时，最少需要 10*10μF 0805 电容器。在不同的输入电压下，最小输入电容要求如表 8-7、表 8-3 和表 8-4 所示。对于准双相，建议在 RAC_A 和 RAC_B 之前分散 MLCC 电容器。建议将 1*10nF+1nF 0402 封装 MLCC 电容器（EMI 滤波用途）放置在尽可能靠近 A 相和 B 相半桥 MOSFET 的位置。

陶瓷电容器表现出直流偏置效应。在陶瓷电容器上施加直流偏置电压时，这种效应可减小有效电容，就像是在充电器的输入电容器上一样。这种影响可能会导致显著的电容压降，尤其是对于高输入电压和小型电容器封装。请参阅制造商的数据表，了解施加直流偏置电压时的降额性能。为了在运行点获得所需的电容值，也许有必要选择一个更高的额定电压或者标称电容值。钽电容器 (POSCAP) 可避免直流偏置效应和温度变化影响，尤其推荐用于 28V 和 36V 的更高功率的应用。

表 8-2 20V/100W 系统的输入电容要求
20V/100W 系统 最小值 典型值 最大值
有效输入电容

不需要 4μF (MLCC) OTG

需要 8μF (MLCC) OTG

 4μF (MLCC) + 15μF (POSCAP) 4μF (MLCC) + 2*33μF (POSCAP)
实际输入电容器配置

不需要 4*10μF OTG

（在 20V 偏置电压下，0603 35V MLCC 降额至约 10%）

4*10μF（在 20V 偏置电压下，0603 35V MLCC 降额至约 10%）

1*15μF (2917 35V POSCAP)

4*10μF（在 20V 偏置电压下，0603 35V MLCC 降额至约 10%）

2*33μF (2917 35V POSCAP)
表 8-3 28V/140W 系统的输入电容要求
28V/140W 系统 最小值 典型值 最大值
有效输入电容

不需要 6μF (MLCC) OTG

需要 8μF (MLCC) OTG

 6μF (MLCC) + 15μF (POSCAP) 6μF (MLCC) + 2*33μF (POSCAP)
实际输入电容器配置

不需要 10*10μF OTG

（在 28V 偏置电压下，0603 35V MLCC 降额至约 6%）

10*10μF（在 28V 偏置电压下，0603 35V MLCC 降额至约 6%）

1*15μF (2917 35V POSCAP)

10*10μF（在 28V 偏置电压下，0603 35V MLCC 降额至约 6%）

2*33μF (2917 35V POSCAP)
表 8-4 36V/180W 系统的输入电容要求
36V/180W 系统 最小值 典型值 最大值
有效输入电容 8μF (MLCC) 8μF (MLCC) + 15μF (POSCAP) 8μF (MLCC) + 2*33μF (POSCAP)
实际输入电容器配置

10*10μF（在 36V 偏置电压下，0805 50V MLCC 降额至约 8%）

10*10μF（在 36V 偏置电压下，0805 50V MLCC 降额至约 8%）

1*15μF (2917 50V POSCAP)

10*10μF（在 36V 偏置电压下，0805 50V MLCC 降额至约 8%）

2*33μF (2917 50V POSCAP)